2024-12-02 17:04:20
超快脈沖激光器的研究熱潮不減,而半導(dǎo)體可飽和吸收反射鏡(Semiconductor Saturable absorber mirror)作為穩(wěn)定、自啟動(dòng)脈沖激光器最簡單的被動(dòng)鎖模元件備受追捧,筱曉光子于幾年前推出BATOP SESAM器件,為科研人員提供理想脈沖激光器核心元器件。
筱曉產(chǎn)品
半導(dǎo)體可飽和吸收反射鏡(SESAM)
超快脈沖光纖激光器最直接的應(yīng)用就是作為超快光源,形成多種時(shí)間分辨光譜技術(shù)和泵浦/探測技術(shù),作為飛秒固體激光放大器的種子光源,可用于光纖型光參量振蕩器與放大器系統(tǒng),并可使用周期性極化鈮酸鋰(ppln)進(jìn)行高效倍頻或頻率轉(zhuǎn)換。
人們在研究光纖激光器的同時(shí),也在不斷研究皮秒量級及更窄的超短脈沖激光器,超短脈沖光纖激光器由于具有寬的頻譜帶寬和很高的峰值功率,在光纖通信、激光精細(xì)加工、超快生物學(xué)、超快光學(xué)、超快光譜學(xué)等領(lǐng)域均有重要應(yīng)用特別是在研究ICF快點(diǎn)火機(jī)制、等離子體診斷以及激光與等離子體相互作用等,都需要脈寬極窄、峰值功率極高的超短激光脈沖。
因此,超短脈沖光纖激光器作為一種特殊的激光器,具有非常重要的研究價(jià)值和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。
由塊狀工作物質(zhì)及各種光學(xué)元件組成的傳統(tǒng)固體激光器存在體積大、質(zhì)量大、結(jié)構(gòu)松、可靠性差等缺點(diǎn)。
二、基于SESAM被動(dòng)鎖模脈沖光纖激光器
獲得超短脈沖輸出的主要途徑有主動(dòng)鎖模和被動(dòng)鎖模。主動(dòng)鎖模光纖激光器雖然具有輸出激光波長和重復(fù)頻率可調(diào)諧的優(yōu)點(diǎn),但是其受到電器件響應(yīng)頻率的限制,輸出激光的脈沖寬度只能達(dá)到ps量級,并且多數(shù)調(diào)制器的尺寸較大,對于光纖激光器來說引入了非光纖器件,禍合損耗很大,另外這種主動(dòng)鎖模的光纖激光器容易受到外界環(huán)境的影響,如溫度變化、機(jī)械振動(dòng)引起腔內(nèi)偏振態(tài)變化等,從而使輸出鎖模脈沖不穩(wěn)定。
與主動(dòng)鎖模相比,被動(dòng)鎖模不需要其他任何有源器件,利用光纖中或者其他元件中的非線性效應(yīng)等,可實(shí)現(xiàn)激光自啟動(dòng)鎖模,獲得比輸入脈沖更短的脈沖輸出。目前被動(dòng)鎖模光纖激光器主要利用可飽和吸收體、非線性光纖環(huán)形鏡、非線性偏振效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)。
可飽和吸收體是一種非線性介質(zhì),隨著光場強(qiáng)度的變化,其對激光的吸收會有所改變,當(dāng)光場較弱時(shí),飽和吸收體對光的吸收很強(qiáng),隨著光強(qiáng)的增大,吸收作用減弱,達(dá)到一定值時(shí),吸收飽和,光全部透過。因此自發(fā)輻射的光信號在通過可飽和吸收體時(shí),弱信號由于吸收作用而受到阻擋,不能通過,強(qiáng)尖峰信號的邊沿由于損耗而不斷削弱,因此光脈沖在通過飽和吸收體的過程中被窄化了,從而實(shí)現(xiàn)激光脈沖的自啟動(dòng)。
半導(dǎo)體材料具有獨(dú)特能級特性,在上個(gè)世紀(jì)90年代初發(fā)展出了半導(dǎo)體可飽和吸收體材料(SESA)。SESA的響應(yīng)本質(zhì)上包含帶內(nèi)和帶間兩個(gè)過程。電子在帶內(nèi)的快速熱運(yùn)動(dòng)有助于穩(wěn)定超短脈沖,而緩慢的帶間復(fù)合則有助于激光器啟動(dòng)鎖模。
利用成熟的半導(dǎo)體工程技術(shù),通過調(diào)整兩種運(yùn)動(dòng)的相對程度和帶隙,可以使其具有極寬范圍的吸收波長。半導(dǎo)體可飽和吸收反射鏡(SESAM)的基本結(jié)構(gòu)是把反射鏡與可飽和吸收體結(jié)合在一起,即半導(dǎo)體可飽和吸收體用外延法直接生長在半導(dǎo)體布拉格反射鏡上,其調(diào)制深度、飽和通量和非飽和損耗均可以通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)加以調(diào)控。因此,SESAM是目前應(yīng)用最為廣泛的鎖模器件。
下圖是基于SESAM的脈沖光纖激光器光路圖,此結(jié)構(gòu)簡單,無需種子源,易于實(shí)現(xiàn)。
基于SESAM的脈沖光纖激光器
三、半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM的微觀特性
1、能帶間隙即禁帶寬度。它決定半導(dǎo)體可飽和吸收體的吸收波長,吸收系數(shù)一般在104/cm左右。以III-V族化合物半導(dǎo)體為例,吸收帶一般在可見光和近紅外波段。為了適應(yīng)各種吸收波長的需要,常常要用三元化合物半導(dǎo)體,如砷化鎵鋁(AlGaAs),砷化銦鎵(InGaAs),砷化銦鋁(InAlAs)等。
2、晶格常數(shù)。半導(dǎo)體可飽和吸收體一般是用外延法生長在半導(dǎo)體襯底上的,襯底的晶格常數(shù)與要生長的半導(dǎo)體化合物的晶格常數(shù)原則上應(yīng)該相同,若不一致,則會在生長層上造成一定應(yīng)變(strain),可分為壓縮型和擴(kuò)張型。無論那種類型的應(yīng)變都會影響禁帶寬度,因而禁帶寬度的改變不是任意的,要受襯底晶格常數(shù)的制約。
3、量子阱。當(dāng)吸收體薄到一定程度,并被夾在高禁帶寬度的材料中間,就變成了所謂量子阱。在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體可飽和吸收體時(shí),根據(jù)吸收能量的大小,可以采用體吸收,也可以采用量子阱結(jié)構(gòu)。對于利用克爾效應(yīng)鎖模的激光器,僅僅需要百之零點(diǎn)幾至百分之幾的吸收,所以可飽和吸收體的厚度只需要幾個(gè)nm。
4、時(shí)間特性。半導(dǎo)體可飽和吸收體之所以可以啟動(dòng)鎖模,是因?yàn)樗母咚贂r(shí)間特性。一般來說半導(dǎo)體的吸收有兩個(gè)特征弛豫時(shí)間,一是帶內(nèi)子帶之間的熱化(intrabandthermalization),二是帶間躍遷(interbandtransition)。帶內(nèi)熱化是被激發(fā)到導(dǎo)帶的電子向子帶躍遷的物理過程,這個(gè)時(shí)間很短,在100-200fs左右,而帶間躍遷時(shí)間是電子從導(dǎo)帶向價(jià)帶的躍遷,相對較長,從幾ps到幾百ps。
下圖列舉了用于1064nm光纖脈沖激光器的SESAM結(jié)構(gòu)圖,右側(cè)是飽和吸收體結(jié)構(gòu)。
用于1064nm光纖脈沖激光器的SESAM設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)圖
SESAM電場強(qiáng)度分布
四、筱曉光子SESAM的產(chǎn)品資料
BATOPSESAM可飽和吸收鏡
?德國BATOP公司是一家專門生長半導(dǎo)體可飽和吸收體等半導(dǎo)體光電器件的公司,主要產(chǎn)品包括:
其中SESAM,RSAM和SOC是用于穩(wěn)定、自啟動(dòng)的DPSS被動(dòng)鎖模激光器最簡單的鎖模元件。
1064——中心波長為1064nm?
1——飽和吸收率為1%
X——封裝代碼
主要參數(shù):