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VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器低功耗芯片GaAs 795nm 0.13mW  

VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器低功耗芯片GaAs 795nm  0.13mW
垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。


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產(chǎn)品型號 5
貨號 操作 名稱
I80015035  795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C)   [PDF] Group 1 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5;S6;S7; 0.13mW; 0.16X0.20; Ta = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%; 795nm; 建議最大峰值功率CW 100% DC:0.15mW     價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
I80015036  795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C)   [PDF] Group 2 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5;S6;S7; 0.13mW; 0.16X0.20; Ta = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%; 795nm; 建議最大峰值功率CW 100% DC:0.15mW     價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
I80014001  795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10°C)   [PDF] Group 3 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5;S6;S7; 0.13mW; 0.16X0.20; Ta = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%; 795nm; 建議最大峰值功率CW 100% DC:0.15mW     價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
I80015037  795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C)   [PDF] Group 4 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5;S6;S7; 0.13mW; 0.16X0.20; Ta = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%; 795nm; 建議最大峰值功率CW 100% DC:0.15mW     價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
I80015038  795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group5 Ta=100±10°C)   [PDF] Group 5 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5;S6;S7; 0.13mW; 0.16X0.20; Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%; 795nm; 建議最大峰值功率CW 100% DC:0.15mW     價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
總覽

垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。

產(chǎn)品特點

包裝: 裸片

芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器

激光波長: 795nm

輻射剖面: 單模

ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

產(chǎn)品應(yīng)用

原子鐘

磁力計


通用參數(shù)

Vixar模具圖紙:孔徑數(shù)量




我們目前有以下標(biāo)準(zhǔn)部件可供樣品和批量生產(chǎn)

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合 – 低功耗芯片

型號波長模具細節(jié)建議Max. 峰值功率
CW,100% DC
注意數(shù)據(jù)表
單模
V00145795nm0.16 mm x 0.20 mm 單孔徑0.15mW線寬<100MHz,+/-0.5nm 偏振穩(wěn)定V00145_數(shù)據(jù)表
V00140895nm0.16 mm x 0.20 mm 單孔徑0.2mW線寬<100MHz,+/-0.5nm 偏振穩(wěn)定V00140_數(shù)據(jù)表
多模
V00146680nm0.22 mm x 0.22 mm 單孔徑7mW可見光,效率提高,非高斯光束形狀 偏振穩(wěn)定V00146_數(shù)據(jù)表

 

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合 – 高功率芯片 – 850 nm

型號模具細節(jié)建議Max. 峰值功率
CW,100% DC
建議Max. 峰值功率
100 μs,1% DC
建議Max. 峰值功率
5 ns,0.1% DC
數(shù)據(jù)表
V001510.52 mm x 0.52 mm
100 個孔徑
0.5W1W5WV00151_數(shù)據(jù)表
V000270.87 mm x 0.87 mm
281 個孔徑
2W6W13WV00027_數(shù)據(jù)表
V001240.90 mm x 1.00 mm
550 個孔徑
3W9W35WV00124_數(shù)據(jù)表
V000291.26 mm x 1.26 mm
770 個孔徑
4W12W36WV00029_數(shù)據(jù)表
V001331.99 mm x 1.99 mm
1672 個孔徑
6W20W78WV00133_數(shù)據(jù)表

 

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合 – 高功率芯片 – 940 nm

型號模具細節(jié)建議Max. 峰值功率
CW,100% DC
建議Max. 峰值功率
100 μs,1% DC
建議Max. 峰值功率
5 ns,0.1% DC
數(shù)據(jù)表
V000590.87 mm x 0.87 mm
281 個孔徑
2W6W13WV00059_數(shù)據(jù)表
V000810.90 mm x 1.00 mm
550 個孔徑
3W8W35WV00081_數(shù)據(jù)表
V001560.90 mm x 1.00 mm
550 孔徑
多結(jié) (3J)
4W12W110WV00156_數(shù)據(jù)表
V000631.26 mm x 1.26 mm
770 個孔徑
4W11W36WV00063_數(shù)據(jù)表
V001321.99 mm x 1.99 mm
1672 個孔徑
6W20W76WV00132_數(shù)據(jù)表




VCSEL低功耗芯片GaAs 795nm  Max. 額定值

Ta = 80°C

參數(shù)

符號

操作/焊接溫度

DC = 100%

TS

Min. 值

Max. 值

-20°C

110°C

儲存溫度

Tstg

Min. 值

Max. 值

-40°C

125°C

正向電流(保持單模)

直流操作; DC = 100%; TS = 75°C

If

Max. 值

1.5 mA

正向電流

直流操作; DC =   100%; TS = 75°C

If

Max. 值

3mA

反向電壓

不適合反向操作

ESD耐電壓

acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

VESD

Max. 值

250 V

 

注意:超出jue對Max. 額定值范圍的應(yīng)力可能會對設(shè)備造成永jiu性損壞。


  

 特征

Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3

 

參數(shù)

符號

正向電流

VF

典型值

1.8   V

輸出功率

Φ

典型值

  0.13 mW

閾值電流

Ith

典型值

0.75 mA

斜率效能

SE

典型值

 0.21 W / A

單模抑制比

SMSR

Min. 值

 20 dB

偏振消光比5)

PER

Min. 值

15 dB

峰值波長

λpeak-v

Min. 值

典型值

Max. 值

794.5   nm

795 nm

795.5 nm

光譜線寬度

Λlinewidth

Max. 值

100   MHz

調(diào)頻調(diào)制帶寬

Fm

Min. 值

3.4 GHz

波長溫度系數(shù)

TCλ

典型值

0.055 nm / K

半峰全寬處視場(50% of Φmax)

φx

φY

典型值

典型值

12°

12°

1/e2處 視場

φx

φY

典型值

 典型值

20°

20°

 

注意:波長,輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。



相對光譜發(fā)射 1)

112.png



輻射特征 1)



113.png

正向電流 1) 2)


114.png

光輸出功率 1) 2)


115.png


尺寸圖 3) 單位mm







116.jpg










包裝






117.jpg



注意事項

根據(jù)操作模式的不同,這些設(shè)備發(fā)射出高度集中的可見光和非可見光,這可能對人眼有害。包含這些設(shè)備的產(chǎn)品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預(yù)防措施。

除其他物質(zhì)外,該裝置的子組件還含有金屬填充材料,包括銀。金屬填充材料可能會受到含有侵略性

物質(zhì)的環(huán)境影響。因此,我們建議客戶在存儲、生產(chǎn)和使用過程中盡量減少設(shè)備接觸腐蝕性物質(zhì)。當(dāng)

使用上述試驗進行試驗時,顯示出可見變色的裝置在規(guī)定的試驗持續(xù)時間內(nèi)未顯示出故障限值范圍內(nèi)

的性能偏差。

 

IEC60810中描述了相應(yīng)的故障限值。

 


術(shù)語

1)          典型值:由于半導(dǎo)體器件制造工藝的特殊條件,技術(shù)參數(shù)的典型數(shù)據(jù)或計算關(guān)聯(lián)只能反映統(tǒng)計數(shù)字。這些不一定對應(yīng)于每個產(chǎn)品的實際參數(shù),這些參數(shù)可能不同于典型值和計算相關(guān)或典型特征線。由于技術(shù)改進,這些典型值數(shù)據(jù)將被更改,恕不另行通知。

2)         測試溫度: TA = 85°C ± 2°C

3)         尺寸公差:除非圖紙中另有說明,公差以±0.1規(guī)定,尺寸以mm規(guī)定。

4)         波長:連續(xù)波長測量,分辨率±0.1 nm。

5)         偏振: 在安裝或封裝引起的模具應(yīng)力條件下,偏振消光比會降低。




訂購信息

 

描述

工作模式

訂購代碼

Group 1 - Die; 2222; 795; S; 1M;

S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20mm

Ta   = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

V00145 Group: 1

Group 2 - Die; 2222; 795; S; 1M;

S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20

Ta   = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

V00145 Group: 2

Group 3 - Die; 2222; 795; S; 1M;

S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20mm

Ta   = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

V00145 Group: 3

Group 4 - Die; 2222; 795; S; 1M;

S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20mm

Ta   = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

V00145 Group: 4

Group 5 - Die; 2222; 795; S; 1M; 

S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20mm

Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm

V00145 Group: 5

 












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