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GaSe(硒化鎵)太赫茲晶體  

GaSe(硒化鎵)太赫茲晶體
GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體,擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群,300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線(xiàn)性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y(cè)使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測(cè)系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過(guò)對(duì)GaSe晶體厚度的選取,我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波的頻率可選擇性控制。注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對(duì)該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。


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產(chǎn)品型號(hào) 13
貨號(hào) 操作 名稱(chēng)
G80010015  硒化鎵晶體 10 x 10 x 0.1mm   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.1mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010016  硒化鎵晶體 10 x 10 x 0.15mm   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.15mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010017  硒化鎵晶體 10 x 10 x 0.2mm   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.2mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010018  硒化鎵晶體 10 x 10 x 0.3mm   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.3mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010019  硒化鎵晶體 10 x 10 x 0.5mm   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 0.5mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010020  硒化鎵晶體 10 x 10 x 1mm   [PDF] Z-cut; 10 x 10 x 1mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010021  硒化鎵晶體 10 x 10 x 2mm   [PDF] Z-cut;10 x 10 x 2mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010022  硒化鎵晶體 5 x 5 x 0.05mm   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.05mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010023  硒化鎵晶體 5 x 5 x 0.1mm   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.1mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010024  硒化鎵晶體 5 x 5 x 0.15mm   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.15mm     價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010025  硒化鎵晶體 5 x 5 x 0.2mm   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.2mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010026  GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 5 x 5 x 0.35mm   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 0.35mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
G80010027  GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 5 x 5 x 1mm   [PDF] Z-cut;5 x 5 x 1mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
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GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體,擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群,300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線(xiàn)性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y(cè)使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測(cè)系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過(guò)對(duì)GaSe晶體厚度的選取,我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波的頻率可選擇性控制。

注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對(duì)該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域

● 抗損傷閾值高

● 非線(xiàn)性系數(shù)大

● CO2激光的SHG

● 多種尺寸可選

● 客戶(hù)導(dǎo)向的解決方案

● 接受客戶(hù)定制服務(wù)


產(chǎn)品應(yīng)用

● 太赫茲時(shí)域系統(tǒng)

● 太赫茲源晶體

● 中遠(yuǎn)紅外氣體探測(cè)

●  CO2激光的SHG

● THZ實(shí)驗(yàn)光源

● 太赫茲成像

通用參數(shù)

GaSe晶體的透過(guò)率曲線(xiàn)

thz1.jpg

實(shí)驗(yàn)室光路系統(tǒng)

thz2.png


EOS測(cè)量及反演結(jié)果

thz3.png











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