貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 |
---|
圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 價格 |
---|
產(chǎn)品描述:
筱曉光子的硅基偏壓光電探測器感光范圍覆蓋200nm~1100nm,噪聲極低,響應快,無增益,成本低,適用于常規(guī)光電探測應用,性能優(yōu)秀,性價比高,提供quan方位技術支持,常應用于紫外與可見光測量。
產(chǎn)品特點:
感光范圍覆蓋200nm~1100nm,常應用于紫外與可見光測量
偏壓型探測器,極低噪聲,快速響應,無增益
低成本,適用于常規(guī)光電探測應用
性能優(yōu)秀,性價比高,quan方位技術支持
提供非標定制服務
應用領域:
紫外與可見光測量
主要參數(shù):
參數(shù) | 值 | ||||||
波長范圍 | 200-1100nm | 350-1100nm | 320-1100nm | ||||
感光尺寸 | Φ1.0mm | Φ3.6mm | Φ10.0mm | ||||
帶寬范圍 | 350MHz | 25MHz | 10MHz | ||||
上升時間(@50Ω) | 1ns | 14ns | 35ns | ||||
NEP | 5.0×10-14W/Hz1/2 | 1.6×10-14W/Hz1/2 | 2.4×10-14W/Hz1/2 | ||||
暗電流 | 0.3nA(Typ.)/10nA(Max) | 0.35nA(Typ.)/6.0nA(Max) | 0.9nA(Typ.)/10nA(Max) | ||||
結電容 | 6pF(Typ.) | 40pF(Typ.) | 150pF(Typ.) | ||||
偏置電壓 | 10V | ||||||
輸出電流 | 0~10mA | ||||||
輸出電壓 | ~9V(Hi-Z); | ||||||
光敏面深度 | 0.09" (2.2 mm) | 0.09" (2.2 mm) | 0.13" (3.3mm) | ||||
工作溫度 | 10-40℃ | ||||||
存儲溫度 | -20-70℃ | ||||||
探測器凈重 | 0.10kg | ||||||
欠壓指標 | Vout ≤9V(Hi-Z) Vout ≤170mV(50Ω) | ||||||
外觀尺寸 | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm) | ||||||
供電電池 | 供電開關 | 信號接口 | 電池監(jiān)測 | 支桿接口 | 光學接口 | ||
A23,12VDC,40mAh | 滑動開關 | BNC母座 | 瞬時按鈕 | M4 X 2 | SM1 X 1 |
尺寸圖:
SI響應曲線:
附件1:可選配置表
硅基偏壓光電探測器 | 可選配置 | ||||
產(chǎn)品名稱 | 材料 | 類型 | 特點 | 波長范圍 感光尺寸 | 預留可選配置 |
PD: "光電探測器" | S:Si硅基 | B:偏壓型 | C:常規(guī)型 | 2B10:200-1100nm,Φ1.0mm |
|
|
|
|
| 3E36:350-1100nm,Φ3.6mm |
|
|
|
|
| 3D100:320-1100nm,Φ10.0mm |
|
|
|
|
|
|
|
附件2:型號貨號對照表
型號 | 貨號 | 規(guī)格 |
PDSBC2B10 | A80153421 | 200-1100nm硅基偏壓光電探測器,感光尺寸Φ1.0mm,上升時間1ns,帶寬350MHz |
PDSBC3E36 | A80153422 | 350-1100nm硅基偏壓光電探測器,感光尺寸Φ3.6mm,上升時間14ns,帶寬25MHz |
PDSBC3D100 | A80153423 | 320-1100nm硅基偏壓光電探測器,感光尺寸Φ10.0mm,上升時間35ns,帶寬10MHz |