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THERMAL NIL 桌面式納米光柵熱壓印機(jī)  

THERMAL NIL 桌面式納米光柵熱壓印機(jī)
NIR-MFD-S-SM-2  NILT CNI 實(shí)驗(yàn)用納米熱壓印機(jī)是專(zhuān)為實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)的簡(jiǎn)單易用、性能穩(wěn)定的研發(fā)型設(shè)備,用戶可以通過(guò)CNI設(shè)備高效、低成本地實(shí)現(xiàn)高精度的納米熱壓工藝,許多知名的研發(fā)機(jī)構(gòu)均購(gòu)買(mǎi)了CNI的設(shè)備和NILT CNI熱壓設(shè)備。


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產(chǎn)品型號(hào) 1
貨號(hào) 操作 名稱(chēng)
H80050007  桌面式納米光柵熱壓印機(jī) CNI-V2.1   [PDF] 熱零點(diǎn)高達(dá)240攝氏度;UV NIL@365nm;壓印壓力 0.3至11Bar;真空壓?。?mbar);納米硅片和基板尺寸 高達(dá)200 mm    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
總覽

NIR-MFD-S-SM-2  NILT CNI 實(shí)驗(yàn)用納米熱壓印機(jī)是專(zhuān)為實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)的簡(jiǎn)單易用、性能穩(wěn)定的研發(fā)型設(shè)備,用戶可以通過(guò)CNI設(shè)備高效、低成本地實(shí)現(xiàn)高精度的納米熱壓工藝,許多知名的研發(fā)機(jī)構(gòu)均購(gòu)買(mǎi)了CNI的設(shè)備和NILT CNI熱壓設(shè)備。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 占地小、操作簡(jiǎn)便

● 可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的圖形復(fù)制

● 可實(shí)現(xiàn)納米熱壓設(shè)備的一切功能,而無(wú)需昂貴的工藝設(shè)備。

產(chǎn)品應(yīng)用

● 在硅片上制作納米級(jí)光柵

● 壓印易碎的材料(例如III-V族材料)

● 微結(jié)構(gòu)加工

● 制作壓印印章

● 保護(hù)母版的適用壽命

● 熱壓高深寬比結(jié)構(gòu)圖形

技術(shù)參數(shù)

THERMAL NIL 主要性能指標(biāo):

● 集成控溫卡盤(pán),可對(duì)溫度進(jìn)行測(cè)量、控制

● 可適用于100mm(4 英寸以下)所有尺寸和形狀的壓印模板。

● 可適用于Silicon, Quartz, Nickel and Polymer materials

● 壓印程序可進(jìn)行編程

● 適用所有熱壓印材料

● 設(shè)備可用于復(fù)制壓印母板

● 壓印溫度可達(dá)200 攝氏度

● 壓力范圍:1‐10 bar

● 壓印精度:40nm 或更好 (可完成工藝驗(yàn)收)

● 將模板加熱和溫度測(cè)量集成與壓印載盤(pán)上

● 載盤(pán)適用于易碎襯底

● 快速升溫,快速降溫,擁有技術(shù)上認(rèn)可技術(shù)的卡盤(pán)設(shè)計(jì),可保證快速升溫、降溫并保持良好的溫度均勻性。20℃‐130℃‐70℃少于8 分鐘

● 提供COC 有機(jī)聚合物中間層軟膜(先進(jìn)的母板復(fù)制工藝),耗材及工藝培訓(xùn)

● 提供壓印相關(guān)材料

● 提供工藝培訓(xùn)和支持

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壓印程序可進(jìn)行編程(溫度、壓力、時(shí)間)

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壓印實(shí)例

   


    


聚合物中間層工藝

NIL TECHNOLOGY ApS (NILT)高分子聚合物中間層壓印技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)納米壓印/熱壓印非平面化的壓印,同時(shí)高分子聚合物中間層的熱塑彈性材料實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移和復(fù)制。可保護(hù)昂貴的母板因多次轉(zhuǎn)印而損壞,同時(shí)用于母板的復(fù)制。

  


  


NIL TECHNOLOGY ApS (NILT) 部分應(yīng)用實(shí)例:

1、仿生應(yīng)用用于制作昆蟲(chóng)眼部六角結(jié)構(gòu)

  

2、微型注射針頭結(jié)構(gòu)

  

3、方形結(jié)構(gòu)陣列500nm

4、分布式反饋激光器,240nm光柵結(jié)構(gòu)

5、磷化銦(InP),突出高度:112 nm

 










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