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銦鎵砷 InGaAs 光電二極管模塊 800-1600nm ( PD/APD/TIA IRPD5521Y 型)  

銦鎵砷 InGaAs 光電二極管模塊 800-1600nm ( PD/APD/TIA IRPD5521Y 型)
筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。


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產(chǎn)品型號 2
貨號 操作 名稱
E80043062  (已停產(chǎn))IRPD5521Y 型 InGaAs 光電二極管模塊( PD/APD/TIA 155Mbps 800-1600nm)   [PDF] 光譜響應(yīng)范圍：800-1600nm；速度 ：155Mbps；帶TIA；帶尾纖；已停產(chǎn)    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
E80040035  (已停產(chǎn))IRPD5521Y 型 InGaAs 光電二極管模塊( PD/APD/TIA 1.25Gbps 800-1600nm)   [PDF] 光譜響應(yīng)：800-1600nm；速度：1.25Gbps；帶TIA；5Pin腳；(已停產(chǎn))    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
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筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。

為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

● 高靈敏度

● 工作波長范圍：1260~1650nm

● 單電源供電

● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)

● RoHS認(rèn)證RoHS compliant

產(chǎn)品應(yīng)用

● 無源光網(wǎng)絡(luò)與SDH/SONET傳輸系統(tǒng)

● 吉比特以太網(wǎng)與光纖信道

● 其它應(yīng)用Other application

通用參數(shù)

參數(shù)名稱

符號

測試條件

最小

典型Typ.

最大

單位

TIA工作電流

ICC

Vcc=3.3V

-

44

59

mA

反向擊穿電壓1）

VBR

ID=100μA

35

-

55

V

VBR溫度系數(shù)

σ

γ= dVBR/dTC

-

0.1

0.15

V/℃

差分跨阻

IRPD5521Y-155

IRPD5521Y-1.25

IRPD5521Y-2.5

 

 

ZT

 

Pin=-30dBm， RL=100Ω,

 

54

26

3.6

kΩ

-3dB帶寬

IRPD5521Y-155

IRPD5521Y-1.25

IRPD5521Y-2.5

 

 

f-3dB

 

 

Pin=-30dBm

100

1000

2000

MHz

響應(yīng)度

Re

M=1 , λ = 1.55μm

0.85

0.95

-

A/W

輸出阻抗

ZO

Single ended

-

50

70

Ω

靈敏度

IRPD5521Y-155A

IRPD5521Y-155P

IRPD5521Y-1.25A

IRPD5521Y-1.25P

IRPD5521Y-2.5A

IRPD5521Y-2.5P

PS

 

λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10,

ER=10dB,

V=Vop

-47 -39 -35 -28 -34 -26

－

－

dBm

過載功率

APD

PIN

 

PMAX

 

-5

+3

-

-

dBm

光回?fù)p

Lo

λ = 1.55μm

-

-

-30

dB

備注：1）僅適用于APD探測器


最大絕對額定值 T=25deg

參數(shù)名稱

符號

額定值

單位

TIA電源電壓

VCC

5

V

APD反向電壓APD

VAPD

VBR

V

APD/PD反向電流

Ir

2

mA

APD/PD正向電流

If

2

mA

工作溫度范圍

TC

-40 ~ +85

℃

貯存溫度范圍

TSTG

-55 ~ +100

℃



 fz.png

引腳定義



yj.png

引腳編號

引腳功能說明

引出端符號

1

信號正輸出端

Vout+

2

放大器電源

VCC

3

偏置電壓

VAPD

4

信號負(fù)輸出端

Vout-

5

接地

GND (case)


yj1.png


引腳編號

引腳功能說明

引出端符號

1

信號正輸出端

Vout+

2

信號負(fù)輸出端

Vout

3

接地

-GND   (case)

4

放大器電源

VCC


注意事項

a.嚴(yán)格按照引腳說明連接，輸出AC耦合時，差分負(fù)載應(yīng)為100Ω

b. 貯運(yùn)、使用過程中必須采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施。

c.器件屬于高電壓工作器件，使用時應(yīng)采取適當(dāng)?shù)脑O(shè)計和措施避免人體受到傷害。

型號及訂購

型號示例： IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX 

速率□□□□：

0155:155Mbps

1.25:1.25Gbps

2.5:2.5Gbps

探測器類型☆：

A: APD

P: PD

T: TIA

封裝XX：

PG:尾纖

TO:TO封裝

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