A80160205
AGS 硫鎵銀 非線性光學(xué)晶體 AgGaS2
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透光率： μm 0.47 – 13
非線性系數(shù)： pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 μm ；
對(duì)稱度：四方晶系； -42m point group
晶胞參數(shù)：a=5.757； c=10.311；
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A80160206
AGSe 硒鎵銀（AgGaSe2）NIR-IR近紅外非線性晶體
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透光率；0.76 – 18 μm；單軸負(fù)晶：no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no)；非線性系數(shù)； pm/V：d36 = 39.5 @10.6 μm ；對(duì)稱度：四方晶系， -42m point group
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G80010032
GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線性光學(xué)晶體
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透光率0.62 – 20μm；非線性系數(shù)，pm/V：d22 = 54 @10.6 μm；對(duì)稱度：六方晶系，6m2 point group；晶胞參數(shù)，?：a=3.74，c=15.89；離散角，°：5.3 μm
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A80160204
LGS 硫鎵鋰 (LiGaS2) NIR-IR非線性光學(xué)晶體
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透光率：0.33 – 11.6μm；帶隙：4.15 eV；定位精度，arc min：< 30；
平行度，arc sec：< 30；
平面度：546 nm λ/4；
表面質(zhì)量，scratch/dig：30/20
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A80160203
LGSe硒鎵鋰(LiGaSe2) NIR-IR近紅外非線性光學(xué)晶體
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透光率：0.37 – 13.2μm；帶隙：3.57eV (300K)；定位精度，arc min：< 30；
平行度，arc sec：< 30；
平面度：546 nm λ/4；
表面質(zhì)量，scratch/dig：30/20
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A80160202
LIS 硫銦鋰 (LiInS2) NIR-IR近紅外非線性光學(xué)晶體
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透光率：0.35– 13.2 μm； 非線性系數(shù)，pm/V：d31=7.25，d24=5.66 @2.3 ；對(duì)稱度：斜方晶系，mm2 point group ；晶胞參數(shù)，?：a=6.893，b=8.0578，c=6.4816 ；定向精度，arc min：< 30；
平行度，arc sec：< 30；
平面度：546 nm λ/6；
表面質(zhì)量，scratch/dig：30/20
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A80160201
LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體
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透光率：0.43– 13.2 μm；非線性系數(shù)，pm/V：d31=11.78，d24=8.17 @2.3 μm ；對(duì)稱度：斜方（晶系），mm2 point group ；晶胞參數(shù)，?：a=7.192，b=8.412，c=6.793 ；帶隙，eV：2.86；定向精度，arc min：< 30
平行度，arc sec：< 30；
平面度：546 nm λ/4；
表面質(zhì)量，scratch/dig：30/20
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