GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線性光學晶體.pdf
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透光率0.62 – 20μm；非線性系數(shù)，pm/V：d22 = 54 @10.6 μm；對稱度：六方晶系，6m2 point group；晶胞參數(shù)，?：a=3.74，c=15.89；離散角，°：5.3 μm
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GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結(jié)構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。
注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質(zhì)軟，易碎。
主要特性
復合物 | GaSe | |
透光率, μm | 0.62 – 20 | |
非線性系數(shù), pm/V | d22 = 54 @10.6 μm | |
對稱度 | 六方晶系, 6m2 point group | |
晶胞參數(shù), ? | a=3.74, c=15.89 | |
典型反射系數(shù) | 10.6 μm | no=2.6975, ne=2.3745 |
光學損傷閾值, MW/cm2 | 1064 nm | 30 |
離散角, ° | 5.3 μm | 4.1 |
應用
10.6 μm激光輻射二次諧波的產(chǎn)生
中紅外區(qū)域高達17μm的光學參量振蕩器、光學參量放大器、DFG等
對于所有晶體，我們能夠為特定應用提供合適的防反射/保護涂層，以及反射率曲線。
| 名稱 | 型號貨號 | 描述 | 價格 |
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營業(yè)執(zhí)照