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碲化鋅晶體(ZnTe)  

碲化鋅晶體(ZnTe)
碲化鋅(ZnTe)晶體,是一種具有優(yōu)異電光性能的II-VI族化合物半導(dǎo)體,自然條件下是閃鋅礦(ZB)結(jié)構(gòu),室溫下帶隙寬度為2.3eV,其二階非線性系數(shù)與電光系數(shù)均較大,輻射和探測THz電磁波的效率比其他電光晶體高,因此ZnTe晶體被認(rèn)為是比較好的THz輻射源和探測器材料。ZnTe晶體<110>方向在 800nm附近激光脈沖作用下相位匹配*****,為ZnTe晶體作為太赫茲輻射產(chǎn)生和探測的常規(guī)使用方向。此外,ZnTe晶體還可以廣泛應(yīng)用于各種光電子器件中,如綠光發(fā)光二極管、電光探測器、太陽能電池等


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產(chǎn)品型號 1
貨號 操作 名稱
A80161608  碲化鋅晶體 5*5*1mm   [PDF] 封裝尺寸:5*5*1mm 支架?25.4mm; 晶格結(jié)構(gòu):立方閃鋅礦;密度:5.633g/cm^3; 比熱:0.16j/gK;帶隙(300K):2.25eV;透過率(λ=7-12um) :60%; 電阻率:109 Ohm*cm;折射率(λ=10.6um):2.7;    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
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碲化鋅(ZnTe)晶體,是一種具有優(yōu)異電光性能的II-VI族化合物半導(dǎo)體,自然條件下是閃鋅礦(ZB)結(jié)構(gòu),室溫下帶隙寬度為2.3eV,其二階非線性系數(shù)與電光系數(shù)均較大,輻射和探測THz電磁波的效率比其他電光晶體高,因此ZnTe晶體被認(rèn)為是比較好的THz輻射源和探測器材料。ZnTe晶體<110>方向在 800nm附近激光脈沖作用下相位匹配*****,為ZnTe晶體作為太赫茲輻射產(chǎn)生和探測的常規(guī)使用方向。此外,ZnTe晶體還可以廣泛應(yīng)用于各種光電子器件中,如綠光發(fā)光二極管、電光探測器、太陽能電池等


產(chǎn)品特點

·應(yīng)用于THz產(chǎn)生、探測和光學(xué)限幅器

·晶體純度高 99.995%-99.999%

·表面質(zhì)量優(yōu)


通用參數(shù)


晶格結(jié)構(gòu)

立方閃鋅礦

密度

5.633g/cm3

比熱

0.16j/gK

帶隙(300K)

2.25eV

透過率(λ=7-12um)

60%

電阻率

109 Ohm*cm

折射率(λ=10.6um)

2.7

電光系數(shù)r41(λ=10.6um)

4.0×10-12m/V

電阻率

(1) Low:<103Ohm*cm

(2) High:>109Ohm*cm

封裝尺寸

5*5*1nm

?25.4mm











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