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集成電光調(diào)制器  

集成電光調(diào)制器
1 電光調(diào)制器1.1 集成光波導(dǎo)集成光波導(dǎo)能夠沿類(lèi)似于光纖的確定路徑引導(dǎo)光。它們被制造在平面基板上或平面基板內(nèi),而該基板的性質(zhì)決定了波導(dǎo)性質(zhì),例如電光調(diào)制。圖1.1 集成光波導(dǎo)方案波導(dǎo)由一個(gè)與周?chē)牧舷啾日凵渎矢叩耐ǖ澜M成(圖 1.1)。通道壁上的折射率過(guò)渡可以是階梯狀的,也可以是平滑的,就像這里描述的一樣。光通過(guò)通道壁上的全內(nèi)反射進(jìn)行引導(dǎo)。根據(jù)波長(zhǎng)、基底折射率、折射率增加、通道的寬度和深度,可以激發(fā)一個(gè)或多個(gè)橫向振蕩狀態(tài)(模式)。單模操作非常有趣,因?yàn)樗鼘?duì)于許多集成光學(xué)元件的功能至關(guān)重要。集成光學(xué)元件通常配備光纖,te別是在光通信技術(shù)中。為了實(shí)現(xiàn)與光纖的良好耦合效率,單模波導(dǎo)的寬度和深度通常為 3 到 9 微米,具體取決于波長(zhǎng)。可以使用集成光波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)各種元件,如 Y 型分支、極化提升器、相位和振幅調(diào)制器、開(kāi)……


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1 電光調(diào)制器

1.1 集成光波導(dǎo)

集成光波導(dǎo)能夠沿類(lèi)似于光纖的確定路徑引導(dǎo)光。它們被制造在平面基板上或平面基板內(nèi),而該基板的性質(zhì)決定了波導(dǎo)性質(zhì),例如電光調(diào)制。

圖1.1 集成光波導(dǎo)方案

波導(dǎo)由一個(gè)與周?chē)牧舷啾日凵渎矢叩耐ǖ澜M成(圖 1.1)。通道壁上的折射率過(guò)渡可以是階梯狀的,也可以是平滑的,就像這里描述的一樣。光通過(guò)通道壁上的全內(nèi)反射進(jìn)行引導(dǎo)。根據(jù)波長(zhǎng)、基底折射率、折射率增加、通道的寬度和深度,可以激發(fā)一個(gè)或多個(gè)橫向振蕩狀態(tài)(模式)。單模操作非常有趣,因?yàn)樗鼘?duì)于許多集成光學(xué)元件的功能至關(guān)重要。集成光學(xué)元件通常配備光纖,te別是在光通信技術(shù)中。為了實(shí)現(xiàn)與光纖的良好耦合效率,單模波導(dǎo)的寬度和深度通常為 3 到 9 微米,具體取決于波長(zhǎng)??梢允褂眉晒獠▽?dǎo)實(shí)現(xiàn)各種元件,如 Y 型分支、極化提升器、相位和振幅調(diào)制器、開(kāi)關(guān)或波長(zhǎng)多路復(fù)用器。


通用參數(shù)

1.2 線性光電效應(yīng)

線性電光效應(yīng),也稱為普克爾斯效應(yīng),是一種光學(xué)二階非線性效應(yīng)。它描述了在施加外部電場(chǎng)時(shí)光學(xué)材料的折射率的變化。折射率的變化量與電場(chǎng)強(qiáng)度、方向和光的偏振成正比。這種相互作用用電光張量來(lái)描述,并且大多是各向異性的。這種效應(yīng)發(fā)生在極性材料中,包括鐵電晶體。制造集成光調(diào)制器的Shou選材料是鈮酸鋰 (LiNbO3),它也用于本文描述的調(diào)制器。在這種晶體中,最強(qiáng)的相互作用發(fā)生在晶體 z 方向 (E3) 的外部電場(chǎng)和折射率為 n3 的 z 偏振光之間。這相當(dāng)于:

電光系數(shù) r33 為33 pm/V。確定函數(shù)需要使用線性偏振光。


1.3. 相位調(diào)制器

如果使用長(zhǎng)度為 L 的電極將電場(chǎng)施加到波導(dǎo)上,則電極之間區(qū)域的折射率會(huì)發(fā)生變化,隨后引導(dǎo)光發(fā)生相移。由于波導(dǎo)橫截面非常小,因此無(wú)法放置電極來(lái)產(chǎn)生均勻的電場(chǎng)。因此,優(yōu)秀在晶體表面上布置共面電極(圖 1.2)。

圖1.2 相位調(diào)制器

這會(huì)產(chǎn)生非均勻場(chǎng)分布,其效率 Γ 低于 1。在用 x 切割晶體制成的鈮酸鋰調(diào)制器中,其效率約為 0.65。

圖1.3 相位調(diào)制器特性曲線

相移與施加的電壓成線性關(guān)系(圖 1.3)。相移的良好近似值可以用以下公式描述:

引起 π 相移的半波電壓 Vπ 計(jì)算如下:

這通常相當(dāng)于幾伏。在給定的電極幾何形狀下,較長(zhǎng)波長(zhǎng)的電壓高于較短波長(zhǎng)的電壓。例如,在 635 nm 的紅光中,電壓預(yù)計(jì)為 3 V,在約 1550 nm 的電信波長(zhǎng)范圍內(nèi),電壓預(yù)計(jì)為 10 V。由于Max. 適用電壓約為 ±30 V,因此可以達(dá)到紅光 20 π 和 1550 nm 6 π 之間的相移。由于電光響應(yīng)非???,加上低控制電壓和使用復(fù)雜的行波電極幾何形狀,可以在千兆赫范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)頻率調(diào)制。


1.4 振幅調(diào)制器

將相位調(diào)制器插入到集成式馬赫-曾德?tīng)柛缮鎯x中,形成振幅調(diào)制器(圖 1.4)。

圖 1.4  Mach-Zehnder 振幅調(diào)制器

在兩個(gè)干涉儀臂上以推挽方式放置電極是有利的。施加電壓會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)分支產(chǎn)生相位差,從而通過(guò)干涉改變?cè)O(shè)備輸出端的輸出功率。因此,設(shè)備傳輸可以控制在Min. 值和Max. 值之間(Pmin 到 Pmax)。從開(kāi)啟狀態(tài)切換到關(guān)閉狀態(tài)或反之亦然,需要 π 的相位差。所需電壓稱為幅度調(diào)制器的半波電壓 Vπ。由于推挽操作,幅度調(diào)制器的半波電壓是具有相同電極長(zhǎng)度的相位調(diào)制器的一半。例如,可以預(yù)期在 635 nm 的紅色中為 1.5 V,在約 1550 nm 的電信波長(zhǎng)范圍內(nèi)為 5 V。消光比由Max. 輸出與Min. 輸出之比決定。在紅光范圍內(nèi),消光比通常為 500:1,在紅外范圍內(nèi),消光比通常為 1000:1 以上。輸出功率與控制電壓的關(guān)系呈周期性(圖 1.5),呈余弦形式:


圖 1.5 幅度調(diào)制器特性曲線

操作點(diǎn)不同于理論值 V0 = 0。如果合適,必須由特殊電子設(shè)備控制。將射頻信號(hào)作為調(diào)制電壓施加到電極上,此電輸入被轉(zhuǎn)換成幅度信息(圖 1.6)。此幅度輸出取決于電壓幅度和形狀,因此與調(diào)制器操作點(diǎn)的位置有關(guān)。該圖描繪了二進(jìn)制脈沖電輸入到二進(jìn)制光輸出信號(hào)的傳輸。如果電壓電平不正確,即電壓過(guò)高或偏移不正確,調(diào)制器將在二進(jìn)制操作中對(duì)不正確的光輸出電平做出反應(yīng),或在模擬操作中對(duì)更高的諧波做出反應(yīng)。

圖 1.6 Mach-Zehnder 幅度調(diào)制器操作


2 選擇標(biāo)準(zhǔn)

由LiNbO3制成的集成光學(xué)調(diào)制器可用于不同的應(yīng)用和波長(zhǎng)。選擇取決于所需的應(yīng)用。


2.1 波長(zhǎng)和波長(zhǎng)范圍

調(diào)制器的各種特性,te別是半波電壓和

插入損耗,取決于工作波長(zhǎng)。雖然半波電壓在較短的波長(zhǎng)下會(huì)降低,但

插入損耗會(huì)增加,這主要是由于瑞利散射,也有一小部分是由于吸收。

調(diào)制器正確操作的可用波長(zhǎng)范圍(光譜或光學(xué)帶寬)受波導(dǎo)的模態(tài)行為限制。它取決于

基板材料和中心波長(zhǎng)。在此范圍內(nèi)可保證單模操作和明確的調(diào)制。

對(duì)于調(diào)制器所制造的給定中心波長(zhǎng),調(diào)制器可以接受圖 2.1 中彩色范圍之外的激光波長(zhǎng)。例如,在 1060 nm 中心波長(zhǎng)處,光帶寬為 ± 60 nm,即調(diào)制器可以在 1000 nm 和 1120 nm 之間工作。

圖 2.1 可用波長(zhǎng)范圍

在較長(zhǎng)的波長(zhǎng)下,插入損耗由于波導(dǎo)截止而增加,而在較短的波長(zhǎng)下,調(diào)制由于較高振蕩模式的干擾而不確定,從而導(dǎo)致幅度調(diào)制器中的對(duì)比度損失或相位調(diào)制器中的殘余幅度調(diào)制。

圖 2.2 保偏光纖的兩種類(lèi)型:熊貓型、領(lǐng)結(jié)型

2.2 光纖尾纖和光的偏振

線性偏振光是調(diào)制器操作所必需的。由于鈮酸鋰中使用的波導(dǎo)類(lèi)型是偏振的,如果輸入偏振不是線性的或調(diào)整不夠充分,則會(huì)導(dǎo)致傳輸損耗。

調(diào)制器采用標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度為 1 米的光纖尾纖制成。

可根據(jù)要求提供其他長(zhǎng)度

在輸入端口需要保偏光纖。輸出光纖也是保偏的,但也可根據(jù)要求提供標(biāo)準(zhǔn)單模(非 PM)光纖。

光纖中的偏振通常與應(yīng)力桿在慢軸方向上對(duì)齊。標(biāo)準(zhǔn)使用蝴蝶結(jié)光纖。可根據(jù)要求提供熊貓光纖。

圖 2.3  FC 連接器中的極化對(duì)齊

2.3 光學(xué)功率

連續(xù)波操作

可傳輸光功率取決于波長(zhǎng)。對(duì)于波長(zhǎng)大于 1 μm 的波長(zhǎng),設(shè)備輸入端的光功率z高可達(dá) 0.3 瓦。在紅色范圍內(nèi),其功率為 20 mW,在綠色范圍內(nèi)為 10 mW。


脈沖操作

由于半波電壓取決于波長(zhǎng),因此調(diào)制器設(shè)計(jì)用于在一個(gè)窄帶波長(zhǎng)下工作。由于干涉操作原理,光譜寬度的增加會(huì)導(dǎo)致幅度調(diào)制器的消光比降低。雖然在零階附近,消光對(duì)于大多數(shù)情況來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠,但對(duì)于更高階的干涉,消光會(huì)急劇下降。這對(duì)于脈沖操作也是有效的。圖 2.4 顯示了連續(xù)波操作和脈沖操作下 1060 nm 處某些干涉階的操作曲線。光譜寬度為 8 nm FWHM 的 150 fs 脈沖被饋入輸入光纖。在光纖傳輸過(guò)程中,脈沖擴(kuò)展至 3 ps,30 nm FWHM。

這發(fā)生在光纖的前幾厘米內(nèi),調(diào)制器不再影響光譜。在z低階中,消光比約為 1000:1,然后是 100:1,然后是 30:1,依此類(lèi)推。


2.4 光的光譜寬度


3 技術(shù)數(shù)據(jù)

調(diào)制器適用于各種波長(zhǎng)。原則上,如果有波長(zhǎng)接近所需波長(zhǎng)的激光器,則可以提供 532 nm 至 1650 nm 之間每個(gè)波長(zhǎng)的調(diào)制器。以下描述了一些標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)的調(diào)制器數(shù)據(jù)。

幅度調(diào)制器AMXXX:

類(lèi)型

AM635

AM705

AM830

AM1064

AM1550

波長(zhǎng) [nm](其他波長(zhǎng)可應(yīng)要求提供)

635

705

830

1064

1550

光譜帶寬(nm)

±20

±20

±30

±40

±50

插入損耗,典型值(dB)

7

7

6

5.5

4.5

消光,典型值

500 : 1

500 : 1

800 : 1

1000 : 1

1000 : 1

Min. 光上升時(shí)間 10/90

200 ps

200 ps

200 ps

200 ps

200 ps

光連接,輸入

標(biāo)準(zhǔn)

保偏單模光纖*

光纖接頭

裸光纖, FC/PC 或 FC/APC 接頭**

光連接,輸出

標(biāo)準(zhǔn)

保偏單模光纖*

可選

單?;蚨嗄9饫w

光纖接頭

裸光纖, FC/PC 或 FC/APC 接頭**

半波電壓,典型值

2.5 V

2.5 V

2.5 V

3 V

5 V

Max. 偏置調(diào)制頻率(正弦)(kHz)

1

1

1

1

1

Max. 光輸入功率(cw)

20 mW

20 mW

30 mW

300 mW

300 mW

尺寸 L*W*H (mm) (外殼,無(wú)光纖饋通)

96*19*10

* 標(biāo)準(zhǔn):蝴蝶結(jié)型,可選:熊貓型

** 標(biāo)準(zhǔn):寬鍵連接器,可選:小鍵連接器


幅度調(diào)制器AMXXXb

類(lèi)型

AM635b

AM705b

AM830b

AM1064b

AM1550b

波長(zhǎng) [nm](其他波長(zhǎng)可應(yīng)要求提供)

635

705

830

1064

1550

光譜帶寬(nm

±20

±20

±30

±40

±50

插入損耗,典型值(dB

7

7

6

5.5

4.5

消光,典型值

500 : 1

500 : 1

800 : 1

1000 : 1

1000 : 1

光連接,輸入

標(biāo)準(zhǔn)

保偏單模光纖*

光纖接頭

不帶 FC/PC FC/APC 接頭**

光連接,輸出

標(biāo)準(zhǔn)

保偏單模光纖*

可選

單模光纖

光纖接頭

不帶 FC/PC FC/APC 接頭**

半波電壓rf/偏置(V

2.5 / 2.5

2.5 / 2.5

2.5 / 2.5

3 / 3

5 / 5

Max. 偏置調(diào)制頻率(正弦)(kHz

1

1

1

1

1

Max. 光輸入功率(cw[mW]

20

20  

30

300

300

尺寸 L*W*H mm(外殼,無(wú)光纖饋通)

96*31*10


相位調(diào)制器

類(lèi)型

PM635

PM705

PM830

PM1064

PM1550

波長(zhǎng) [nm](其他波長(zhǎng)可應(yīng)要求提供)

635

705

830

1064

1550

光譜帶寬(nm)

±20

±20

±30

±40

±50

插入損耗,典型值(dB)

6

5

5

4

3

Min. 光學(xué)上升時(shí)間10/90,典型值

200 ps

200 ps

200 ps

200 ps

200 ps

光連接,輸入

標(biāo)準(zhǔn)

保偏單模光纖*

光纖接頭

裸光纖, FC/PC 或 FC/APC 接頭**

光連接,輸出

標(biāo)準(zhǔn)

保偏單模光纖*

可選

單?;蚨嗄9饫w

光纖接頭

裸光纖, FC/PC 或 FC/APC 接頭**

半波電壓rf/偏置(V)

2.5 / 2.5

2.5 / 2.5

2.5 / 2.5

3 / 3

5 / 5

Max. 偏置調(diào)制頻率(正弦)(kHz)

1

1

1

1

1

Max. 光輸入功率(cw)[mW]

20

20

30

300

300

尺寸 L*W*H (mm) (外殼,無(wú)光纖饋通)

96*19*10

* 標(biāo)準(zhǔn):蝴蝶結(jié)型,可選:熊貓型

** 標(biāo)準(zhǔn):寬鍵連接器,可選:小鍵連接器


尺寸測(cè)量

調(diào)節(jié)器采用標(biāo)準(zhǔn)外殼。其尺寸如下:





圖 3.2 - 具有分離偏置輸入的幅度調(diào)制器外殼(AMXXXb)


4 調(diào)制器的電氣控制

4.1 調(diào)制器的內(nèi)部接線

1. 標(biāo)準(zhǔn)相位和幅度調(diào)制器接線方案(AMXXX、PMXXX)

               圖 4.1.a - 標(biāo)準(zhǔn)接線圖(AMXXX)                                                     圖 4.1.b - 標(biāo)準(zhǔn)接線圖(PMXXX)


圖 4.1.c - 調(diào)制器外殼(標(biāo)準(zhǔn)接線圖)

相位調(diào)制器 PMXXX 和幅度調(diào)制器 AMXXX 可在不帶電子元件的情況下在調(diào)制器外殼內(nèi)使用(圖 4.1.a-c)。調(diào)制器晶體上的熱電極的兩端都連接到 SMA 連接器。接地電極連接到調(diào)制器外殼以及 SMA 連接器的接地。一個(gè) SMA 連接器可用作射頻輸入,第二個(gè)連接器處建議使用 50 Ω 終端電阻,以避免射頻信號(hào)的反射,因?yàn)榉瓷淇赡軙?huì)干擾調(diào)制和控制電子元件。

輸入調(diào)制器阻抗為 50 Ω,兩個(gè)端口之間的歐姆電阻在 5 到 10 Ω 之間。電容約為 20 pF。可以移除終端器以進(jìn)行測(cè)量或?qū)⒄{(diào)制器與其他電子設(shè)備連接起來(lái)。調(diào)制器在電氣和光學(xué)上是對(duì)稱的。在較高的調(diào)制速度(500 MHz 或更高)下,光傳輸方向必須與電傳輸方向相同。

如果施加階梯狀短上升時(shí)間電輸入信號(hào),則Min. 光上升時(shí)間約為 200 ps。必須將控制操作點(diǎn)所需的偏置添加到射頻電壓中,并導(dǎo)致電流通過(guò)熱電極,這可能會(huì)加熱電極和終端器??梢允褂煤罄m(xù)章節(jié)中描述的布線方案來(lái)防止這種情況。

圖 4.2.a - 接線圖,帶分離偏置輸入的調(diào)制器(AMXXXb)

2. 帶有獨(dú)立射頻和偏置輸入的幅度調(diào)制器內(nèi)部接線圖(AMXXXb)

調(diào)制器外殼中集成了如圖 4.2 a-c 所示的接線方案,以分離射頻輸入和偏置輸入。所有調(diào)制器電極都與調(diào)制器外殼電氣隔離。 熱電極在內(nèi)部終止,而接地電極通過(guò)使用電容器接地,這會(huì)導(dǎo)致射頻連接,但偏置分離。 因此,偏置可以由第二個(gè)連接器饋送至電容器變?yōu)橥干漕l率的頻率。 這大約是 1 kHz。 其他頻率也是可能的。如果施加階梯狀短上升時(shí)間電輸入信號(hào),則Min. 光學(xué)上升時(shí)間約為 500 ps。 偏置不會(huì)導(dǎo)致電流通過(guò)熱電極。 偏置引起的電流是由于電容電阻引起的,因此與頻率有關(guān)。 在直流時(shí),偏置引起的電流為零。

圖 4.2.b - 帶有分離偏置輸入的調(diào)制器外殼

圖 4.3 - 偏壓分離外部接線圖


3. 使用具有標(biāo)準(zhǔn)調(diào)制器接線方案的幅度調(diào)制器分離射頻和偏置

如果使用具有標(biāo)準(zhǔn)接線方案 (AMXXX) 的調(diào)制器,則可以在外部構(gòu)建所述偏置方案。此處必須將調(diào)制器外殼隔離放置并使用電容器接地(圖 4.3)。將調(diào)制器外殼和周?chē)娐贩胖迷谏漕l密封外殼中很有用。如果導(dǎo)線長(zhǎng)度足夠短,則電氣和光學(xué)特性與上一章中描述的集成版本相同。優(yōu)點(diǎn)是可以將調(diào)制器從外殼中取出并用作標(biāo)準(zhǔn)調(diào)制器。


4.2. 調(diào)制器的驅(qū)動(dòng)

調(diào)制器驅(qū)動(dòng)不需要特殊驅(qū)動(dòng)器。任何電壓源,只要其輸出電壓幅度可控為 6 - 10 V(連接到 50 Ω),具體取決于調(diào)制器類(lèi)型,偏移可控,且速度足夠快,就適合用于調(diào)制器驅(qū)動(dòng)。如果電源輸出電壓不足,則可能需要額外的電壓放大器。施加到調(diào)制器的電壓不應(yīng)超過(guò) ±20 伏。

調(diào)制器操作的調(diào)整:

圖 4.4 - 調(diào)制器設(shè)置 (AMXXX)


圖 4.5 - 調(diào)制器設(shè)置 (AMXXXb)


調(diào)制器可用于模擬和數(shù)字調(diào)制。對(duì)于模擬調(diào)制,必須考慮周期特性曲線。對(duì)于數(shù)字調(diào)制,可以使用快速脈沖發(fā)生器。其上限和下限電壓電平(即幅度和偏移)必須獨(dú)立可調(diào)(AMXXX,圖 4.4),或者將射頻信號(hào)施加到射頻輸入,并使用直流源調(diào)整偏置(AMXXXb,圖 4.5)。在某些情況下,需要偏置控制,請(qǐng)參閱第 4.3 章。激光器或激光二極管耦合到調(diào)制器輸入光纖。調(diào)制器輸出光纖將其光發(fā)送到光電二極管。電調(diào)制器輸入使用同軸電纜連接到頻率發(fā)生器和高歐姆示波器 x 輸入。光電二極管連接到 50 歐姆示波器 y 輸入。x-y 圖顯示特性曲線,其中 Vπ 和 Vo 可在應(yīng)用正弦或三角電壓函數(shù)時(shí)確定。使用計(jì)算機(jī)保存曲線數(shù)據(jù)并進(jìn)行余弦擬合很有用。


脈沖生成:

調(diào)制器可以以兩種模式驅(qū)動(dòng)以生成光脈沖 - 用于短光脈沖生成的脈沖模式和用于調(diào)制器切換的切換模式。將使用 Vπ = 2 V 和 V0 = 1,5 V 的調(diào)制器進(jìn)行解釋。


脈沖模式:



圖 4.6 脈沖模式

圖 4.7 生成 1 ns 脈沖

切換模式:

調(diào)制器在兩個(gè)電壓電平之間切換,其中一個(gè)電壓電平的光輸出為零,另一個(gè)電壓電平的光輸出為Max. (圖中為 -0.5 和 1.5 伏)。調(diào)制器從關(guān)閉狀態(tài)切換到下一個(gè)開(kāi)啟狀態(tài)(圖 4.8 中的藍(lán)線和藍(lán)色箭頭)。它將被打開(kāi)或關(guān)閉,反之亦然。光上升時(shí)間對(duì)應(yīng)于輸入電壓的上升時(shí)間。如果要生成光脈沖,其長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于開(kāi)啟和關(guān)閉之間的時(shí)間(圖 4.9 中為 100 納秒)。

圖 4.8 脈沖模式

圖 4.9 生成 1 ns 脈沖

4.3. 鈮酸鋰調(diào)制器的直流行為

鈮酸鋰制成的波導(dǎo)調(diào)制器對(duì)直流電壓有所謂的直流漂移反應(yīng)(圖 4.10)。施加直流電壓后,晶體中會(huì)發(fā)生電荷傳輸。這就是為什么施加到電極上的電場(chǎng)得到部分補(bǔ)償,因此有效電場(chǎng)會(huì)隨時(shí)間部分減小。該過(guò)程分別與自由電荷載體的數(shù)量以及晶體的暗導(dǎo)率和光電導(dǎo)率有關(guān)。由于暗導(dǎo)率取決于溫度和晶體純度,而光電導(dǎo)率取決于晶體純度、波長(zhǎng)和光功率密度(即波導(dǎo)中的光功率),因此補(bǔ)償過(guò)程的持續(xù)時(shí)間取決于這些值。它需要幾分鐘到幾小時(shí)的時(shí)間。溫度和光功率密度越高,波長(zhǎng)越短,持續(xù)時(shí)間就越短。補(bǔ)償在初始值的約 75% 處飽和。補(bǔ)償時(shí)間與初始電壓無(wú)關(guān)。這意味著,在更高的直流電壓下,單位時(shí)間的漂移量(即曲線相位對(duì)時(shí)間的一階導(dǎo)數(shù))變得更快。通過(guò)波導(dǎo)的電場(chǎng)的這種部分補(bǔ)償過(guò)程會(huì)導(dǎo)致由施加電壓引起的初始光相移的部分回移。在相位調(diào)制器中,可以使用干涉儀直接測(cè)量。在幅度調(diào)制器的情況下,由于其余弦特性曲線,光相移之后是光輸出的幅度調(diào)制。這可以測(cè)量為 V0 的偏移。Vπ 不會(huì)改變其值。


圖 4.10 - 直流漂移:施加直流電壓時(shí)的光相位回漂(在振幅調(diào)制器上測(cè)量,1550 nm,幾毫瓦光輸入功率)

該圖顯示了在室溫下用幾毫瓦光功率在 1550 nm 振幅調(diào)制器上測(cè)量的相位漂移示例。相位以初始值的百分比表示,是使用調(diào)制器的余弦特性曲線計(jì)算得出的。施加的電壓 (2 V) 略高于 Vπ (1.59V),這意味著初始相位已經(jīng)是穩(wěn)定所需的 1.25 倍??梢钥闯?,如果調(diào)制器在紅外波段以中等光功率使用,則需要超過(guò)一小時(shí)。如果使用更高的光功率或更短的波長(zhǎng),漂移會(huì)更快,但調(diào)制器對(duì)光和環(huán)境條件的變化反應(yīng)也更大。

可以按如下方式穩(wěn)定操作點(diǎn):

1. 動(dòng)態(tài)模式:

由于輸出信號(hào)的周期性,可以在特性曲線的不同部分進(jìn)行調(diào)制,這些部分相差 2*Vπ 的倍數(shù)。操作點(diǎn)應(yīng)在兩個(gè)具有交替符號(hào)的等效電壓值之間跳躍,在圖中表示為 V 和 V+(圖 4.11)。然后調(diào)制在特性的兩個(gè)藍(lán)色草圖部分上交替發(fā)生。

圖 4.11 - 具有兩個(gè)等效工作點(diǎn)的調(diào)制器特性曲線


為了避免直流漂移,應(yīng)測(cè)量施加的電壓 V ,并在足夠短的時(shí)間內(nèi)(< 1 秒)對(duì)直流漂移持續(xù)時(shí)間進(jìn)行積分,同時(shí)調(diào)制器在工作點(diǎn) V- 工作。此時(shí)具有:

時(shí)將達(dá)到值A(chǔ)-。

此后,工作點(diǎn)必須切換到 V+,調(diào)制器在此工作,直到達(dá)到值 A+ :

其中必須滿足方程式:

然后,工作點(diǎn)必須再次切換到V-,依此類(lèi)推。這會(huì)導(dǎo)致施加電壓的平均值是零,并且不會(huì)發(fā)生直流漂移。必須考慮到調(diào)制器在 V-和 V+ 之間切換時(shí)會(huì)通過(guò)周期特性,這會(huì)產(chǎn)生不必要的光功率調(diào)制。

2. 偏置模式:

必須使用偏置來(lái)設(shè)置操作點(diǎn)。偏置可以在調(diào)制器的射頻輸入端使用偏置 T 來(lái)施加,這會(huì)將直流或低頻偏置添加到射頻信號(hào)中(圖 4.4)。但這會(huì)導(dǎo)致電流通過(guò)調(diào)制器電極和終端器,這對(duì)電壓源來(lái)說(shuō)是負(fù)載,并導(dǎo)致電極和終端器發(fā)熱。更好的方法是使用外部偏置方案或集成偏置電路,如上一章和圖 4.5 中所述。但偏置模式無(wú)法避免直流漂移。

如果調(diào)制是周期性的,則施加電壓的平均值是恒定的。此外,如果溫度和光功率均不變,漂移將在一定時(shí)間后飽和,通過(guò)校正偏置電壓可以達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)。在非周期性調(diào)制或環(huán)境條件變化的情況下,必須使用反饋回路。必須使用光纖耦合器或部分鏡將光調(diào)制器輸出的一部分分開(kāi),并饋入光電二極管,該二極管與偏置控制電路相連,以校正工作中的偏置值。校正電子器件的類(lèi)型取決于調(diào)制。這里無(wú)法提供滿足所有可想到的需求的方案。例如,如果必須生成具有相對(duì)較長(zhǎng)延遲的短光脈沖或必須拾取脈沖,則只需將偏置保持在導(dǎo)致Min. 平均輸出功率的電壓上即可,因?yàn)榧傻叵滦盘?hào)是平均功率的相當(dāng)大一部分,而不是脈沖功率本身。如果需要模擬調(diào)制,則必須測(cè)量實(shí)際輸出信號(hào)并將其與所需輸出信號(hào)進(jìn)行比較。在某些情況下,例如在圖像生成中,可以在不需要調(diào)制器輸出的時(shí)間內(nèi)自動(dòng)測(cè)量特性曲線。偏置電壓的量不應(yīng)太大,因?yàn)橄嘁魄€的斜率在較高偏置下變得更陡,并且必須在較短的時(shí)間內(nèi)完成校正。


5. 應(yīng)用示例

5.1. 脈沖切片

調(diào)制器的一個(gè)重要應(yīng)用是使用連續(xù)激光產(chǎn)生和整形短脈沖。其優(yōu)點(diǎn)是脈沖形狀可以獨(dú)立于激光類(lèi)型進(jìn)行控制。這在某些激光應(yīng)用中是必需的,尤其是在光纖振蕩器-放大器裝置中。

圖 5.1 - 產(chǎn)生 1 ns 脈沖


圖 5.2 - 產(chǎn)生 5 ns 脈沖

例如,如果施加幅度為 2xV 的電端或幅度為 Vπ 的電脈沖(圖 5.1 和 5.2,可以用 V =2V 和 V0 =1.5V 進(jìn)行光脈沖的π 波整形)。模擬溫度 π 以類(lèi)似的方式產(chǎn)生,就像使用兩步脈沖所描繪的那樣(圖 5.3)。此外,可以縮短或整形長(zhǎng)激光脈沖,例如從微秒到納秒范圍。

圖 5.3 - 兩步脈沖的產(chǎn)生

5.2. 脈沖拾取

可以從快速激光脈沖鏈中選擇單個(gè)脈沖或脈沖梳。因此,幅度調(diào)制器用作脈沖拾取器,以降低激光的重復(fù)率。

圖 5.4 - 脈沖拾取

圖 5.4 解釋了從 1060 nm、150 fs、76 MHz 脈沖鏈中拾取脈沖。該圖顯示了較低的脈沖縮小率,以獲得更好的可見(jiàn)性,即比率為 20 和 40。在大多數(shù)情況下,需要按 100 到 1000 之間的倍數(shù)進(jìn)行拾取。

“脈沖選擇器 IOM”(圖 5.5)設(shè)計(jì)用于與 AMXXXb 系列或類(lèi)似系列的調(diào)制器配合使用,這些調(diào)制器具有 50 歐姆 RF 輸入和高電阻偏置輸入。它將脈沖選擇器驅(qū)動(dòng)器與自動(dòng)偏置控制相結(jié)合。


圖 5.5 - 脈沖選擇器 IOM

脈沖激光器將其光發(fā)送到處于關(guān)閉狀態(tài)的振幅調(diào)制器中。從脈沖激光器獲取的電或光同步信號(hào)饋送到電延遲線。該激光脈沖用于均衡光纖和電線中脈沖的運(yùn)行時(shí)間和驅(qū)動(dòng)器的每 20 個(gè)脈沖傳輸操作時(shí)間。計(jì)數(shù)器對(duì)同步信號(hào)脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù),直到達(dá)到預(yù)設(shè)數(shù)。然后,計(jì)數(shù)器向脈沖發(fā)生器發(fā)送信號(hào),脈沖發(fā)生器每傳輸 40 個(gè)脈沖驅(qū)動(dòng)調(diào)制器,從而打開(kāi)調(diào)制器以傳輸一個(gè)或多個(gè)光脈沖。電脈沖的長(zhǎng)度設(shè)置為振幅 Vπ,時(shí)間 [ns] 決定了允許通過(guò)調(diào)制器的光脈沖數(shù)。圖 5.4 - 脈沖拾取。

圖 5.6-脈沖選擇器設(shè)置方案

該驅(qū)動(dòng)器能夠以高達(dá) 150 MHz 的觸發(fā)頻率工作,并產(chǎn)生長(zhǎng)度至少為 5 ns、幅度高達(dá) 5 V 的電脈沖,足以驅(qū)動(dòng)波長(zhǎng)為 1600 nm 或更短的調(diào)制器。分頻系數(shù)為 2,z高可達(dá) 65000。操作數(shù)據(jù)由 PC 通過(guò) USB 設(shè)置。內(nèi)置光電二極管控制反饋環(huán)路以進(jìn)行偏置控制。InGaAs 型將操作波長(zhǎng)限制為 1000 nm 至 1700 nm 之間的紅外波長(zhǎng)。

圖 5.7 - 觸發(fā)脈沖鏈(深藍(lán)色)調(diào)制器打開(kāi)窗口(紅色)拾取脈沖(淺藍(lán)色)

圖 5.7 是“脈沖選擇器 IOM”操作的示波器打印輸出。打印了激光脈沖鏈、調(diào)制器打開(kāi)窗口和拾取脈沖。由于采用自動(dòng)偏置控制,調(diào)制器的消光比可達(dá)到 1:1000 以上。


6. 術(shù)語(yǔ)說(shuō)明

插入損耗 (D)

光通過(guò)調(diào)制器傳輸時(shí)的光功率損耗


D = 10 lg (Pin/Pout)


Pin:在輸入光纖中引導(dǎo)的光功率


Pout:在調(diào)制器傳輸Max. (開(kāi)啟狀態(tài))時(shí)在輸出光纖中引導(dǎo)的光功率


(使用光纖切割法測(cè)量)

消光 (E)

對(duì)于振幅調(diào)制器,開(kāi)啟和關(guān)閉狀態(tài)下傳輸?shù)墓夤β手?/span>

(對(duì)比度)

E = Pmax/Pmin  (在直流電壓下測(cè)量)

半波電壓 (Vπ)

對(duì)于振幅調(diào)制器,將調(diào)制器從開(kāi)啟狀態(tài)切換到關(guān)閉狀態(tài)或反之亦然的電壓差


對(duì)于相位調(diào)制器,將光輸出信號(hào)的相位偏移π的電壓差

偏移 (V0)

  與 0 V 相比的z低電壓,在此電壓下,振幅調(diào)制器的傳輸Max. (開(kāi)啟狀態(tài))

輸出光纖的偏振

如果使用保偏光纖,則輸出光纖中光的偏振比

光譜帶寬

在消光和插入損耗沒(méi)有顯著減少的情況下,窄帶工作波長(zhǎng)可能偏離調(diào)制器的中心波長(zhǎng)(相對(duì)于中心波長(zhǎng),插入損耗增加 10% 或消光減少 10%

上臨界頻率

電輸入對(duì)光輸出信號(hào)的影響減少一半的頻率

Min. 光上升時(shí)間

如果應(yīng)用精確的電階躍函數(shù)在開(kāi)啟和關(guān)閉狀態(tài)之間切換調(diào)制器,則振 幅調(diào)制器的光信號(hào)在Max. 傳輸值的 10% 和 90% 之間上升或下降的時(shí)間











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