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900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC Φ0.3~3mm TO8封裝  

900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC Φ0.3~3mm TO8封裝
GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器和兩級(jí)熱電冷卻器(2TE)組成,采用TO封裝形式。本用戶手冊(cè)僅介紹產(chǎn)品系列。


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產(chǎn)品型號(hào) 5
貨號(hào) 操作 名稱
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ0.3mm   [PDF] 光敏面直徑:0.3mm;芯片尺寸:850×850um;電極尺寸:140×180um;光譜響應(yīng) λ:900-2700nm;冷卻:2TE;封裝:TO8封裝    價(jià)格 : ¥0 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ0.5mm   [PDF] 光敏面直徑:0.5mm;芯片尺寸:1000×1000um;電極尺寸:140×180um;光譜響應(yīng) λ:900-2700nm;冷卻:2TE;封裝:TO8封裝    價(jià)格 : ¥0 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
E80043098  900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ1mm   [PDF] 光敏面直徑:1mm;芯片尺寸:1410×1410um;電極尺寸:140×180um;光譜響應(yīng) λ:900-2700nm;冷卻:2TE;封裝:TO8封裝    價(jià)格 : ¥0 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ2mm   [PDF] 光敏面直徑:2mm;芯片尺寸:2560×2560um;電極尺寸:280×360um;光譜響應(yīng) λ:900-2700nm;冷卻:2TE;封裝:TO8封裝    價(jià)格 : ¥0 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ3mm   [PDF] 光敏面直徑:3mm;芯片尺寸:3560×3560um;電極尺寸:320×480um;光譜響應(yīng) λ:900-2700nm;冷卻:2TE;封裝:TO8封裝    價(jià)格 : ¥0 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
總覽

GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器和兩級(jí)熱電冷卻器(2TE)組成,采用TO封裝形式。本用戶手冊(cè)僅介紹產(chǎn)品系列。


產(chǎn)品特點(diǎn)

●芯片有效直徑從300μm到3000μm

●900nm至2700 nm的光譜響應(yīng)

●高分流電阻,實(shí)現(xiàn)高靈敏度

●TEC內(nèi)置


產(chǎn)品應(yīng)用

●近紅外傳感/輻射測(cè)量

●LED/LD特性

●光譜學(xué)

●醫(yī)學(xué)診斷學(xué)

●光譜學(xué)


通用參數(shù)

E/O特性

結(jié)構(gòu)參數(shù)

Part Number

封裝

冷卻

光敏面直徑

芯片尺寸

電極尺寸

GESTIN-2TE-TO8-0300

TO-8

2TE

Φ300μm

850×850um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-0500

Φ500μm

1000×1000um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-1000

Φ1000μm

1410×1410um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-2000

Φ2000μm

2560×2560um

280×360um

GESTIN-2TE-TO8-3000

Φ3000μm

3560×3560um

320×480um

 

EO參數(shù)

Part Number

試驗(yàn)溫度Tch(℃)

光譜響應(yīng) λ (nm)

暗電流 ID(μA)

結(jié)電容C(f=1MHz,VR=0V) (pF)

VR=0.01V

VR=0.5V

GESTIN-2TE-TO8-0300

25

900-2700

0.1

0.5

50

GESTIN-2TE-TO8-0500

0.2

1

100

GESTIN-2TE-TO8-1000

1

4

300

GESTIN-2TE-TO8-2000

4

10

800

GESTIN-2TE-TO8-3000

10

40

2000

 

Part Number

峰值響應(yīng)(A/W)

結(jié)阻抗Rsh(VR=10mV) MΩ

峰值檢測(cè)率D*(cm·Hz1/2/W)

噪聲當(dāng)量Power  NEP  (W/Hz1/2)

GESTIN-2TE-TO8-0300

1.0

3500

3×1012

8.9×10-15

GESTIN-2TE-TO8-0500

1000

1.5×10-14

GESTIN-2TE-TO8-1000

300

3.0×10-14

GESTIN-2TE-TO8-2000

80

5.9×10-14

GESTIN-2TE-TO8-3000

40

8.9×10-14

 

Response Cure(響應(yīng))

 

TEC參數(shù)


操作環(huán)境

Parameter

Typ

操作溫度(℃)

-45~+55

儲(chǔ)存溫度(℃)

-50~+60

 

熱電冷卻器的特性

探測(cè)器集成了一個(gè)兩級(jí)熱電冷卻器(TEC),冷卻表面的中心為探測(cè)器下表面的中心,冷卻面積應(yīng)≥6mm×6mm,其性能參數(shù)如下表所示:

性能指標(biāo)

Value

Max. 熱負(fù)荷功率(Qmax/W)

0.93W

允許的Max. 負(fù)載電流(ITEC-max/A)

1A

允許的Max. 負(fù)載電壓(VTEC-max/V)

2V

 

溫度監(jiān)測(cè)模塊特性

該探測(cè)器使用熱敏電阻作為溫度監(jiān)測(cè)模塊。電阻值與工作溫度下的溫度之間的映射如下表所示:

 

溫度(℃)

電阻(kΩ)

溫度(℃)

電阻(kΩ)

-65

94.270

-15

6.909

-60

69.290

-10

5.587

-55

51.500

-5

4.549

-50

38.700

0

3.729

-45

29.400

5

3.075

-40

22.560

10

2.55

-35

17.490

15

2.126

-30

13.690

20

1.782

-25

10.810

25

1.5

-20

8.608

30

1.268

 

熱敏電阻值與溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:


T1:試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)溫度,單位為℃;

T2:參考點(diǎn)溫度,單位:℃,參考溫度在-20~70℃范圍內(nèi)的典型值為10或40℃,應(yīng)選擇接近目標(biāo)溫度的參考溫度。

R1:T1對(duì)應(yīng)的熱敏電阻阻值,單位為kΩ;

R2:T2對(duì)應(yīng)的熱敏電阻阻值,單位為kΩ;

B: T2對(duì)應(yīng)的熱敏電阻阻值,單位為kΩ;

B: 在20~70度之間,典型的B值為3019.6±60。


注意:

a) 在TEC安裝過(guò)程中,請(qǐng)注意外部電氣結(jié)構(gòu)引入的新電阻。如果新電阻超過(guò)

當(dāng)TEC電阻為10%時(shí),需要重新校準(zhǔn)I-V曲線。

b) 建議以連接電阻較小的方式打開(kāi)TEC。如果需要焊接,則需要短路

接地保護(hù),焊接溫度≤250℃,焊接時(shí)間<10s;


尺寸和光纖定義














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