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| 貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | ||
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H80050012 | 無掩膜數(shù)字光刻機 MCML-110A [PDF] | 波長：365nm； 最大幀：100mm x 100mm； 分辨率：1.0um； 灰度光刻：64 levels； 最大曝光量：500mJ/cm2； 對準精度：<200nm； 場曲率：< 1 um； 速度：5mm2 /sec； 輸入文件 BMP； GDSII； Z級精度 <1 um； 環(huán)境 20~25℃ |
價格 : 請聯(lián)系客服
庫存/貨期:請咨詢客服
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H80050011 | 無掩膜數(shù)字光刻機 MCML-120A [PDF] | 波長：365nm； 最大幀：100mm x 100mm； 分辨率：500nm； 灰度光刻：128 levels； 最大曝光量：2000mJ/cm2； 對準精度：<100nm； 場曲率：< 1 um； 速度 2.5mm2 /sec； 輸入文件 BMP； GDSII； Z級精度 <1 um； 環(huán)境 20~25℃； |
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| 圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 價格 |
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無掩膜數(shù)字光刻機 MCML-110A [PDF] |
H80050012
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波長：365nm； 最大幀：100mm x 100mm； 分辨率：1.0um； 灰度光刻：64 levels； 最大曝光量：500mJ/cm2； 對準精度：<200nm； 場曲率：< 1 um； 速度：5mm2 /sec； 輸入文件 BMP； GDSII； Z級精度 <1 um； 環(huán)境 20~25℃ |
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無掩膜數(shù)字光刻機 MCML-120A [PDF] |
H80050011
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波長：365nm； 最大幀：100mm x 100mm； 分辨率：500nm； 灰度光刻：128 levels； 最大曝光量：2000mJ/cm2； 對準精度：<100nm； 場曲率：< 1 um； 速度 2.5mm2 /sec； 輸入文件 BMP； GDSII； Z級精度 <1 um； 環(huán)境 20~25℃； |
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產品特點
采用數(shù)字微鏡 (DMD) 的無膜模掃描式光刻機，365nm波長
直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案，免去制作掩模板的中間過程，支持直接讀取GDSII和BMP文件
全自動化的對焦和套刻，易于使用
晶圓連續(xù)運動配合DMD動態(tài)曝光，無拼接問題。全幅面絕對定位精度0.1um
套刻精度： 0.2um
500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm最大幅面（4~6寸晶圓），滿幅面曝光時間5~30分鐘
500um最小線寬
可灰度曝光（128階）
尺寸小巧，可配合專用循環(huán)裝置產生內部潔凈空間
應用
微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工
帶有2.5D圖案的微光學元件，衍射光器件制作
教學、科研
參數(shù)
MCML-110A | MCML-120A | |
Wavelength 波長 | 365nm | 365nm |
Max. frame 最大幀 | 100mm x 100mm | 100mm x 100mm |
Resolution 分辨率 | 1.0um | 500nm |
Grayscale lithography 灰度光刻 | 64 levels | 128 levels |
Max exposure 最大曝光量 | 500mJ/cm2 | 2000mJ/cm2 |
Alignment accuracy 對準精度 | <200nm | <100nm |
field curvature 場曲率 | < 1 um | < 1 um |
Speed 速度 | 5mm2 /sec | 2.5mm2 /sec |
Input file 輸入文件 | BMP, GDSII | BMP, GDSII |
Z level accuracy Z級精度 | <1 um | <1 um |
Environment 環(huán)境 | 20~25℃ | 20~25℃ |
樣品
（SU8-2002, 2um膠厚，2寸硅基底）
營業(yè)執(zhí)照