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銦鎵砷 InGaAs MP6514S型單光子陣列探測(cè)器組件 950~1650nm  

銦鎵砷 InGaAs MP6514S型單光子陣列探測(cè)器組件 950~1650nm
MP6514S型探測(cè)器組件由4x4陣列規(guī)格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動(dòng)淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測(cè)器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號(hào)控制模塊組成。在蓋革工作模式下,探測(cè)器組件各像元獨(dú)立、自由運(yùn)行,探測(cè)0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內(nèi)微弱光信號(hào),實(shí)時(shí)輸出TTL電信號(hào)。


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產(chǎn)品型號(hào) 1
貨號(hào) 操作 名稱
E80040036  950-1650nm InGaAs單光子陣列探測(cè)器組件   [PDF] 器件類型 InGaAs APD;工作波長 950-1650nm;陣列規(guī)模 4×4;像元大小 100μm×100μm;光敏面大小 85μm×85μm;石英光窗;探測(cè)效率 ≥10% (1.57+0.05μm)    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
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MP6514S型探測(cè)器組件由4x4陣列規(guī)格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動(dòng)淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測(cè)器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號(hào)控制模塊組成。在蓋革工作模式下,探測(cè)器組件各像元獨(dú)立、自由運(yùn)行,探測(cè)0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內(nèi)微弱光信號(hào),實(shí)時(shí)輸出TTL電信號(hào)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

●光譜響應(yīng)波段0.95 ~ 1.65μm  

●采用金屬封裝,器件質(zhì)輕靈巧 

●像元獨(dú)立、自由運(yùn)行 

●像元可探測(cè)弱光子信號(hào) 

●死時(shí)間、蓋革雪崩信號(hào)檢測(cè)閾值可調(diào) 

產(chǎn)品應(yīng)用

●透霧、霾、煙塵等測(cè)距

●近紅外激光告警

●遠(yuǎn)距離激光測(cè)距

●遠(yuǎn)距離空間激光通信

技術(shù)參數(shù)

探測(cè)器面陣規(guī)格


性能描述

器件類型

InGaAs APD

陣列規(guī)模

4x4

像元大小

100μm x 100μm

光敏面大小[1]

85μm x 85μm

光窗

石英光窗

感光靶面至光窗外表面間距

4mm (光窗厚度為1mm )

注[1]:單片集成微透鏡焦距150μm。


主要性能指標(biāo)(Tc=22+3℃)

特性參數(shù)

參數(shù)指標(biāo)

工作波長[1]

0.95 ~ 1.65μm

探測(cè)效率

≥10% ( 1.57   +0.05μm)

暗計(jì)數(shù)率

≤10KHz

時(shí)間抖動(dòng)

≤500ps

死時(shí)間

100 ~ 1000ns可調(diào)

有效像元率

100%

注[1]:在工作波長范圍內(nèi)選配標(biāo)準(zhǔn)窄帶濾光片。

絕對(duì)最大額定值

參數(shù)

額定值

單位

工作溫度范圍Tc

-40~+55

°C

貯存溫度范圍TSTG

-40~+70

°C

最大功耗P

15

W

輸入偏置范圍VR

4.95.5

V

靜電放電敏感度ESD

1000~2000

V

質(zhì)量可靠性保證

● 產(chǎn)品執(zhí)行GJB8121-2013《半導(dǎo)體光電組件通用規(guī)范》相關(guān)要求。

通用參數(shù)

封裝外形結(jié)構(gòu)與尺寸(單位: mm )

zj1.png

zj2.png

電學(xué)接口

zj4.png

●電源輸入: +5V

●數(shù)據(jù)輸出類型: TTL

●控制命令接口: J63A-31

●電源輸入接口類型: J30J

●數(shù)據(jù)輸出接口類型: J63A-31

●外觸發(fā)接口: SSMA

接口編號(hào)

功能

1

SSMA-1:內(nèi)同步信號(hào)輸出

2

SSMA-2:外同步信號(hào)輸入

3

J63A-31:輸出信號(hào)端口及探測(cè)器工作設(shè)置輸入信號(hào)端口

4

J30J: +5V單電源供電










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