貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 |
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圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 價格 |
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產(chǎn)品描述:
筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋200nm~1100nm,固定增益,可實現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換,具備足夠增益的同時,保證高帶寬性能,適用于光強弱、速度快的光電探測應(yīng)用開發(fā),性能優(yōu)秀,性價比高,提供quan方位技術(shù)支持,常應(yīng)用于紫外與可見光測量。
產(chǎn)品特點:
感光范圍覆蓋200nm~1100nm,常應(yīng)用于紫外與可見光測量
放大型探測器,固定增益,定量光電轉(zhuǎn)換
具備足夠增益的同時,保證高帶寬性能,適用于光強弱、速度快的光電探測應(yīng)用開發(fā)
性能優(yōu)秀,性價比高,quan方位技術(shù)支持
提供非標定制服務(wù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
紫外線與可見光測量
主要參數(shù):
參數(shù) | 值 | |||||||
波長范圍 | 200-1100nm | 400-1000nm | 320-1100nm | 320-1000nm | ||||
感光尺寸 | Φ1.0mm | Φ150um | 1.1mm×1.1mm | Φ0.8mm | ||||
帶寬范圍 | DC~150MHz | DC~380MHz | DC~20MHz | DC~50MHz | ||||
增益范圍 | Hi-Z負載:1×104V/A; | Hi-Z負載:5×104V/A; | 1×1012V/A±10% | Hi-Z負載:100kV/A; | ||||
信號幅值 | Hi-Z負載:0~10V;50Ω負載:0~5V | Hi-Z負載:0~10V;50Ω負載:0~5V | 0~10V | Hi-Z負載:0~3.6V;50Ω負載:0~1.8V | ||||
NEP | 2.92×10-11W/Hz1/2 | 3.6×10-11W/Hz1/2 | 3.0×10-15W/Hz1/2 | 7.8×10-12W/Hz1/2 | ||||
光敏面深度 | 0.09" (2.2 mm) | 0.20" (5.0 mm) | 0.10" (2.4 mm) | 0.07" (1.8 mm) | ||||
工作溫度 | 10-50℃ | 10-40℃ | 10-50℃ | |||||
存儲溫度 | -25-70℃ | |||||||
探測器凈重 | 0.10kg | 0.06kg | ||||||
外觀尺寸 | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm) | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm) | ||||||
供電接口 | 供電電源 | 供電開關(guān) | 信號接口 | 支桿接口 | 光學(xué)接口 | |||
LUMBERG RSMV3 FEMALE | LDS12B(DP),±12 VDC穩(wěn)壓線性電源,6W,220VAC | 滑動開關(guān) | BNC母座 | M4 X 2 | SM1 X 1 |
尺寸圖:
SI響應(yīng)曲線:
附件1:可選配置表
硅基放大光電探測器 | 可選配置 | ||||
產(chǎn)品名稱 | 材料 | 類型 | 特點 | 波長范圍 感光尺寸 | 預(yù)留可選配置 |
PD: "光電探測器" | S:Si硅基 | A:放大型 | F:固定增益 | 2B10:200-1100nm,Φ1.0mm |
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| 4F015:400-1000nm,Φ150um |
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| 3D11: |
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| 3C8:320-1000nm,Φ0.8mm |
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附件2:型號貨號對照表
型號 | 貨號 | 規(guī)格 |
PDSAF2B10 | A80153417 | 200-1100nm硅基放大光電探測器,感光尺寸Φ1.0mm,固定增益1×104V/A,帶寬范圍DC~150MHz |
PDSAF4F015 | A80153418 | 400-1000nm硅基放大光電探測器,感光尺寸Φ150um,固定增益5×104V/A,帶寬范圍DC~380MHz |
PDSAF3D11 | A80153419 | 320-1100nm硅基放大光電探測器,感光尺寸1.1mm×1.1mm,固定增益1×1012 V/A ±10%,帶寬范圍DC~20MHz |
PDSAF3C8 | A80153420 | 320-1000nm硅基放大光電探測器,感光尺寸Φ0.8mm,固定增益100kV/A,帶寬范圍DC~50MHz |