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砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學(xué)浸沒式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2.0-5um PVIA-2TE系列  

 砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學(xué)浸沒式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2.0-5um PVIA-2TE系列
PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。


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產(chǎn)品型號 1
貨號 操作 名稱
E80040159  砷化銦 InAs 光浸式紅外光伏探測器 兩級TE冷卻 2-5.5um   [PDF] 響應(yīng)波長范圍:2-5.5μm;峰值波長:2.9μm;相對響應(yīng)強度:≥5×10^11 cm?Hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積:1×1mm^2;有源元件材料:外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
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PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品特點

● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm

● 采用兩級TE冷卻有效提高探測效率

● 可配專用前置放大器

● 高溫度穩(wěn)定性與機械耐久性

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現(xiàn)光學(xué)浸沒,提升探測器的性能


產(chǎn)品應(yīng)用

● 醫(yī)學(xué)熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測


通用參數(shù)


參數(shù)

探測器型號

PVIA-2TE-3

PVIA-2TE-5

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

起始波長λcut-on (10%), μm

2.1±0.2

2.4±0.2

峰值波長λpeak(μm)

2.9±0.3

4.7±0.3

截止波長λcut-off (10%), μm

3.4±0.2

5.5±0.2

相對響應(yīng)強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥5×1011

≥4×1010

電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W

≥1.3

≥1.5

時間常數(shù)T,ns

≤15

≤5

電阻R,Ω

≥200K

≥1K

元件工作溫度Tdet,K

~230

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO8

接收角Φ

~36°

窗口

wAl2O3


探測器光譜響應(yīng)特性曲線


熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg



兩級TE冷卻參數(shù)表


參量

數(shù)值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂層窗口光譜透過率曲線



5.png



封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

23.jpg

參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

3.2±0.30

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離



2TE-TO8引腳定義

功能

PIN號

探測器

1,3

反向偏壓(可選)

1(-),3(+)

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12











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