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首頁(yè)/ 產(chǎn)品中心 / 半導(dǎo)體連續(xù)激光器 / VCSEL激光器/ VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器低功耗芯片GaAs 894.6 nm 0.2mW

EOT 太赫茲 VCSEL 光纖定制橫河光譜儀 TDLAS EDFA 觀察鏡干涉儀超快激光器中紅外相機(jī) 光束質(zhì)量分析儀光譜分析 TDLAS

VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器低功耗芯片GaAs 894.6 nm 0.2mW

總覽
產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn)
產(chǎn)品應(yīng)用
通用參數(shù)
相關(guān)產(chǎn)品

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)由量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作一個(gè)圓形出口，輸出激光。

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產(chǎn)品型號(hào) ¹

貨號(hào)	操作	名稱	描述	中心波長(zhǎng)	輸出功率
	I80014002	VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta=60±10°C) [PDF]	Die 裸片； 2222； 895； S； 1M；S5； S6； S7；輸出功率： 0.2mW；模具細(xì)節(jié) ：0.16X0.20mm 單孔徑；線寬<100MHz +/-0.5nm 時(shí) 偏振穩(wěn)定； Ta = 60±10°C； IF = 1.4 mA； DC = 100%；峰值波長(zhǎng)：894.6nm；建議最大峰值功率CW 100% DC：0.2mW；	894.6nm	0.2mW	價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服	請(qǐng)聯(lián)系客服 > 或提交詢價(jià)單

圖片	名稱	貨號(hào)貨期	描述	參數(shù)	價(jià)格
	VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta=60±10°C) [PDF]	I80014002	Die 裸片； 2222； 895； S； 1M；S5； S6； S7；輸出功率： 0.2mW；模具細(xì)節(jié) ：0.16X0.20mm 單孔徑；線寬<100MHz +/-0.5nm 時(shí) 偏振穩(wěn)定； Ta = 60±10°C； IF = 1.4 mA； DC = 100%；峰值波長(zhǎng)：894.6nm；建議最大峰值功率CW 100% DC：0.2mW；	中心波長(zhǎng): 894.6nm 輸出功率: 0.2mW	聯(lián)系客服或提交詢價(jià)單

總覽

產(chǎn)品特點(diǎn)

包裝: 裸片

芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器

激光波長(zhǎng): 894.6 nm

輻射剖面: 單模

ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

產(chǎn)品應(yīng)用

原子鐘

磁力計(jì)

通用參數(shù)

Vixar模具圖紙：孔徑數(shù)量

我們目前有以下標(biāo)準(zhǔn)部件可供樣品和批量生產(chǎn)

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合 – 低功耗芯片

型號(hào)	波長(zhǎng)	模具細(xì)節(jié)	建議Max. 峰值功率 CW，100% DC	注意	數(shù)據(jù)表
單模
V00145	795nm	0.16 mm x 0.20 mm 單孔徑	0.15mW	線寬<100MHz，+/-0.5nm 偏振穩(wěn)定	V00145_數(shù)據(jù)表
V00140	895nm	0.16 mm x 0.20 mm 單孔徑	0.2mW	線寬<100MHz，+/-0.5nm 偏振穩(wěn)定	V00140_數(shù)據(jù)表
多模
V00146	680nm	0.22 mm x 0.22 mm 單孔徑	7mW	可見(jiàn)光，效率提高，非高斯光束形狀偏振穩(wěn)定	V00146_數(shù)據(jù)表

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合 – 高功率芯片 – 850 nm

型號(hào)	模具細(xì)節(jié)	建議Max. 峰值功率 CW，100% DC	建議Max. 峰值功率 100 μs，1% DC	建議Max. 峰值功率 5 ns，0.1% DC	數(shù)據(jù)表
V00151	0.52 mm x 0.52 mm 100 個(gè)孔徑	0.5W	1W	5W	V00151_數(shù)據(jù)表
V00027	0.87 mm x 0.87 mm 281 個(gè)孔徑	2W	6W	13W	V00027_數(shù)據(jù)表
V00124	0.90 mm x 1.00 mm 550 個(gè)孔徑	3W	9W	35W	V00124_數(shù)據(jù)表
V00029	1.26 mm x 1.26 mm 770 個(gè)孔徑	4W	12W	36W	V00029_數(shù)據(jù)表
V00133	1.99 mm x 1.99 mm 1672 個(gè)孔徑	6W	20W	78W	V00133_數(shù)據(jù)表

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合 – 高功率芯片 – 940 nm

型號(hào)	模具細(xì)節(jié)	建議Max. 峰值功率 CW，100% DC	建議Max. 峰值功率 100 μs，1% DC	建議Max. 峰值功率 5 ns，0.1% DC	數(shù)據(jù)表
V00059	0.87 mm x 0.87 mm 281 個(gè)孔徑	2W	6W	13W	V00059_數(shù)據(jù)表
V00081	0.90 mm x 1.00 mm 550 個(gè)孔徑	3W	8W	35W	V00081_數(shù)據(jù)表
V00156	0.90 mm x 1.00 mm 550 孔徑多結(jié) (3J)	4W	12W	110W	V00156_數(shù)據(jù)表
V00063	1.26 mm x 1.26 mm 770 個(gè)孔徑	4W	11W	36W	V00063_數(shù)據(jù)表
V00132	1.99 mm x 1.99 mm 1672 個(gè)孔徑	6W	20W	76W	V00132_數(shù)據(jù)表

VCSEL低功耗芯片GaAs 894.6nm Max. 額定值

Ta = 80°C

參數(shù)	符號(hào)		值
操作/焊接溫度 DC = 100%	T_S	Min. 值 Max. 值	-20°C 110°C
儲(chǔ)存溫度	T_stg	Min. 值 Max. 值	-40°C 125°C
正向電流（保持單模）直流操作;DC = 100%; TS = 75°C	I_f	Max. 值	1.5 mA
正向電流直流操作;DC = 100%; TS = 75°C	I_f	Max. 值	3 mA
反向電壓	不適合反向操作
ESD 耐電壓 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)	V_ESD	Max. 值	250 V

注意:超出jue對(duì)Max. 額定值范圍的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永jiu性損壞。

VCSEL低功耗芯片GaAs 894.6nm 特征

T_a = 80°C, I_F = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3

參數(shù)	符號(hào)		值
正向電流	V_F	典型值	1.78 V
輸出功率	Φ	典型值	0.3 mW
閾值電流	I_th	典型值	0.61 mA
斜率效能	SE	典型值	0.37 W / A
單模抑制比	SMSR	Min. 值	20 dB
偏振消光比5)	PER	Min. 值	15 dB
峰值波長(zhǎng)	λ_peak-v	Min. 值典型值 Max. 值	894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm
光譜線寬度	Λlinewidth	Max. 值	100 MHz
調(diào)頻調(diào)制帶寬	F_m	Min. 值	4.6 GHz
波長(zhǎng)溫度系數(shù)	TCλ	典型值	0.06 nm / K
半峰全寬處視場(chǎng)(50% of Φmax)	φ_x φ_Y	典型值典型值	12° 12°
1/e²處視場(chǎng)	φ_x φ_Y	典型值典型值	20° 20°

注意:波長(zhǎng),輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。

相對(duì)光譜發(fā)射 1)

輻射特征 1)

正向電流 1) 2)

光輸出功率 1) 2)

尺寸圖 ,單位 mm)

包裝

注意事項(xiàng)

根據(jù)操作模式的不同，這些設(shè)備發(fā)射出高度集中的可見(jiàn)光和非可見(jiàn)光，這可能對(duì)人眼有害。包含這些設(shè)備的產(chǎn)品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預(yù)防措施。

除其他物質(zhì)外，該裝置的子組件還含有金屬填充材料，包括銀。金屬填充材料可能會(huì)受到含有侵略性

物質(zhì)的環(huán)境影響。因此，我們建議客戶在存儲(chǔ)、生產(chǎn)和使用過(guò)程中盡量減少設(shè)備接觸腐蝕性物質(zhì)。當(dāng)

使用上述試驗(yàn)進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，顯示出可見(jiàn)變色的裝置在規(guī)定的試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間內(nèi)未顯示出故障限值范圍內(nèi)

的性能偏差。

IEC60810中描述了相應(yīng)的故障限值。

術(shù)語(yǔ)

1) 典型值：由于半導(dǎo)體器件制造工藝的特殊條件，技術(shù)參數(shù)的典型數(shù)據(jù)或計(jì)算關(guān)聯(lián)只能反映統(tǒng)計(jì)數(shù)字。這些不一定對(duì)應(yīng)于每個(gè)產(chǎn)品的實(shí)際參數(shù)，這些參數(shù)可能不同于典型值和計(jì)算相關(guān)或典型特征線。由于技術(shù)改進(jìn)，這些典型值數(shù)據(jù)將被更改，恕不另行通知。

2) 測(cè)試溫度: TA = 85°C ± 2°C

3) 尺寸公差:除非圖紙中另有說(shuō)明，公差以±0.1規(guī)定，尺寸以mm規(guī)定。

4) 波長(zhǎng):連續(xù)波長(zhǎng)測(cè)量，分辨率±0.1 nm。

5) 偏振: 在安裝或封裝引起的模具應(yīng)力條件下，偏振消光比會(huì)降低。

訂購(gòu)信息

描述	工作模式	訂購(gòu)代碼
Group 1 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm	Ta = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm	V00140 Group: 1
Group 2 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm	Ta = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm	V00140 Group: 2
Group 3 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm	Ta = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm	V00140 Group: 3
Group 4 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm	Ta = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm	V00140 Group: 4
Group 5 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm	Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm	V00140 Group: 5