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InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷 1.6-6.2um


響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 1.6-6.2μm;峰值波長(zhǎng) 4.2±0.3μm;探測(cè)率~1.2×10^9cm·Hz^(1/2)/W@4.2μm;光敏面積 0.1X0.1mm

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貨號(hào) : E80040171    
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產(chǎn)品總覽

PVAS-5-0.1 0.1-TO39-NW-90是II型超晶格非冷卻紅外光探測(cè)器,具有優(yōu)良的參數(shù)。該探測(cè)器不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)。

型號(hào)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 光譜范圍為1.6 ~ 6.2 μm

● 高響應(yīng)度

● 好的線性度

● 不需要偏置

● 無(wú)1/f噪聲


產(chǎn)品應(yīng)用

● 中紅外激光探測(cè)

● 中紅外氣體分析



技術(shù)參數(shù)

測(cè)試條件:Ta=20℃,Vb=0mV

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVAS-5-0.1X0.1-TO39-NW-90

有源元件材料

外延超晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu)

起始波長(zhǎng)λcut-on (10%), μm

1.6±0.2

峰值波長(zhǎng)λpeak, μm

4.2±0.3

截止波長(zhǎng)λcut-off (10%), μm

6.2±0.2

探測(cè)效率D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

~1.2×109

電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W

~1.2

時(shí)間常數(shù)T,ns

~11

電阻R,Ω

~170

工作溫度Tdet,K

~230

感光面尺寸A,mm×mm

0.1×0.1

包裝

TO39

接收角Φ

~90°

窗口

none


20℃探測(cè)器的光譜響應(yīng)曲線

PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90.jpeg


輸入功率與輸出電流線性度曲線(TBB—黑體溫度)

tt1.png


封裝及尺寸

TO39型封裝及尺寸

TO39-引腳定義

引腳定義

功能

引腳號(hào)

探測(cè)器

1(-),2(+)

接地

3

備注:使用和儲(chǔ)存注意事項(xiàng)

1、工作環(huán)境濕度為10% ~ 80%,環(huán)境溫度為-20℃~ 30℃。

2、功率限制:連續(xù)波或單脈沖輻照度大于1 μs時(shí),對(duì)視光學(xué)有源區(qū)域的輻照度不得超過(guò)100 W/cm2;小于1 μs的脈沖輻照度不能超過(guò)1 MW/cm2。

3、儲(chǔ)存于濕度為10%至90%,環(huán)境溫度為-20℃至50℃的黑暗處。



通用參數(shù)

   InAs/InAsSb T2SL 光電導(dǎo)探測(cè)器 – (工程樣品)

型號(hào)冷卻浸沒(méi)截止波長(zhǎng) um峰值波長(zhǎng) um探測(cè)能力 cm·Hz1/2/W時(shí)間常數(shù)
PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-702TE無(wú)11.0±0.36.2±0.3~2.8×108~12ns
PCAS-2TE-9-1×1AR-TO8-wZnSeAR-702TE無(wú)11.0±0.54.0±0.5~2.6×108~17ns
PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-703TE無(wú)10.5±0.36.1±0.3~4.3×108~17ns
PCAS-2TE-11-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-702TE無(wú)12.0±0.36.0±0.3~1.9×108~7ns
PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-703TE無(wú)14.4±0.310.5±0.3~2.5×108~4ns
PCIAS-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-363TE是的12.0±0.38.0±1.0~2.0×108~4ns
PCAS-2TE-13-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-703TE無(wú)15.0±0.310.7±0.3~1.2×108~3ns


InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 – (工程樣品)

型號(hào)冷卻浸沒(méi)截止波長(zhǎng) um峰值波長(zhǎng) um探測(cè)能力  cm·Hz1/2/W時(shí)間常數(shù)
PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90無(wú)無(wú)6.2±0.24.2±0.3~1.2×109~11ns
PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-702TE無(wú)5.8±0.24.0±0.3~9.0×109~4ns



其它型號(hào)
  名稱 型號(hào)貨號(hào)         價(jià)格
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 兩級(jí)TE冷卻 1.7-5.8um E80040154
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II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-10.5um E80040170
庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
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II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-12um E80040172
庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
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II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-10.5um E80040173
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II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-15um E80040174
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II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器2-11um E80040175
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II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-11um TO8 E80040176
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