IR拋光(Si)硅窗片 1.2-15um (AR增透膜/楔形/打孔/圓形/矩形/CZ/FZ級材料窗口片).pdf(?)
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透射范圍：1.2?15μm；折射率：3.4223 @5μm；反射損耗：46.2％（5μm）（2個表面）；規(guī)格（D×L）：10.0×2mm；材料類型：FZ級 IR拋光
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光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ(Float Zone級材料)，可以提供沒有這種吸收的（FZ）工藝的材料。硅主要用作3至5um波段的光學窗口并用作光學濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。硅通過Czochralski提拉法技術(shù)（CZ）生長并且包含一些導致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況，硅可以通過（FZ）工藝制備。 光學硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。
透射范圍： | 1.2?15μm |
折射率： | 3.4223 @5μm |
反射損耗： | 46.2％@5μm（2個表面） |
吸收系數(shù)： | 0.01cm -1 at 3μm |
吸收峰： | n / a |
dn / dT： | 160×10-6 /℃ |
dn /dμ= 0： | 10.4μm |
密度： | 2.33g / cc |
熔點： | 1420℃ |
熱導率： | 273.3W m-1 K-1 |
熱膨脹： | 2.6×10 -6 /℃ at 20℃ |
硬度： | Knoop 1150 |
比熱容： | 703JKg-1K-1 |
介電常數(shù)： | 13 at 10GHz |
楊氏模量（E）： | 131GPa |
剪切模量（G）： | 79.9GPa |
體積模量（K）： | 102GPa |
彈性系數(shù)： | C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80 |
表觀彈性極限： | 124.1MPa（18000 psi） |
泊松比： | 0.266 |
溶解性： | 不溶于水 |
分子量： | 28.09 |
類別/結(jié)構(gòu)： | 立方鉆，F(xiàn)d3m |
折射率:(No = Ordinary Ray)
μm | No | μm | No | μm | No |
1.357 | 3.4975 | 1.367 | 3.4962 | 1.395 | 3.4929 |
1.5295 | 3.4795 | 1.660 | 3.4696 | 1.709 | 3.4664 |
1.813 | 3.4608 | 1.970 | 3.4537 | 2.153 | 3.4476 |
2.325 | 3.4430 | 2.714 | 3.4358 | 3.000 | 3.4320 |
3.303 | 3.430 | 3.500 | 3.4284 | 4.000 | 3.4257 |
4.258 | 3.4245 | 4.500 | 3.4236 | 5.000 | 3.4223 |
5.500 | 3.4213 | 6.000 | 3.4202 | 6.500 | 3.4195 |
7.000 | 3.4189 | 7.500 | 3.4186 | 8.000 | 3.4184 |
8.500 | 3.4182 | 10.00 | 3.4179 | 10.50 | 3.4178 |
11.04 | 3.4176 |
硅CZ圓形窗片:
訂購型號 | 規(guī)格（D×L） | 材料類型 | 應用光譜范圍 |
SICZP10-0.5 | 10.0×0.5mm | CZ | IR polished |
SICZP25-2 | 25.0×2.0mm | CZ | IR polished |
SICZP25.4-1 | 25.4×1.0mm | CZ | IR polished |
SICZP25.4-4 | 25.4×4.0mm | CZ | IR polished |
| SICZP25.4-7W | 25.4mm ? x 7mm CT 7.5° 楔形 | CZ | IR polished |
SICZP30-2 | 30.0×2.0mm | CZ | IR polished |
SICZP30-2AR | 30.0×2.0mm AR | CZ | IR polished |
SICZP32-3D | 32.0×3.0mm 打孔 | CZ | IR polished |
SICZP32-3 | 32.0×3.0mm 未打孔 | CZ | IR polished |
SICZP50-3 | 50.0×3.0mm | CZ | IR polished |
硅FZ圓形窗片:
訂購型號 | 規(guī)格（D×L） | 材料類型 | 應用光譜范圍 |
| SIFZP10-2 | 10.0×2.0mm | FZ | IR |
SIFZP12-1 | 12.0×1.0mm | FZ | IR |
SIFZP13-1 | 13.0×1.0mm | FZ | IR |
SIFZP15-1 | 15.0×1.0mm | FZ | IR |
SIFZP25.4-0.5 | 25.4×0.5mm | FZ | IR |
SIFZP25.4-1 | 25.4×1.0mm | FZ | IR |
SIFZP30-2 | 30.0×2.0mm | FZ | IR |
| SIFZP30-3 | 30.0×3.0mm | FZ | IR |
矩形CZ級硅Si窗片:
訂購型號 | 規(guī)格（L×W×H） | 材料類型 | 應用光譜范圍 |
SICZP25-15-2 | 25.0×15.0×2.0mm | CZ | IR |
| SICZP50-50-10NEUT | 50mm x 50mm x 10mm N-type (111) 硅 (Si) 塊單面拋光，用于中子反射率 (Neutron Reflectivity) | CZ | IR |
| 名稱 | 型號貨號 | 描述 | 參數(shù) | 價格 |
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