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最佳波長(zhǎng)λopt：2.15±0.2μm；光敏面積 1×1mm^2；相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak)： 2.95±0.3 cm·Hz1/2/W；有源元件材料：外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)
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PVIA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過(guò)光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。
● 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒(méi)，提升探測(cè)器的性能
● 熱成像
● FTIR光譜學(xué)
● 激光外差探測(cè)
● 中紅外氣體分析
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
PVIA-3 | PVIA-5 | |
有源元件材料 | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu) | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
zui佳波長(zhǎng)λopt（μm） | 2.15±0.2 | 2.3±0.2 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | 2.95±0.3 | 4.7±0.3 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | 3.5±0.2 | 5.5±0.2 |
電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥5×1010 | ≥5×109 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≥1.3 | ≥1.3 |
電阻R,Ω | ≤20 | ≤15 |
元件工作溫度Tdet,K | ≥2K | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO39 | |
接收角Φ | ～36° | |
窗口 | 無(wú) | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線
封裝及尺寸
TO8型封裝外形尺寸圖
透鏡參數(shù)
參量 | 數(shù)值 |
浸沒(méi)微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學(xué)區(qū)域面積AO, mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 2.4±0.20 |
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離
引腳定義
功能 | 引腳號(hào) |
探測(cè)器 | 1（-）,2（+） |
接地 | 3 |
營(yíng)業(yè)執(zhí)照