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InAsSb 紅外光伏探測(cè)器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39


最佳波長(zhǎng)λopt:2.3±0.2um;相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度(λpeak):4.7±0.3 cm?Hz^(1/2)/W;相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt):5.5±0.2 cm·Hz1/2/W;光敏面積 0.1×0.1mm^2; 有源元件材料:外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu);TO39

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貨號(hào) : E80043099    
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產(chǎn)品總覽

PVA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求

產(chǎn)品特點(diǎn)

可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm

可配專用前置放大器

高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性


產(chǎn)品應(yīng)用

醫(yī)學(xué)熱成像

紅外光譜分析

中紅外激光探測(cè)


通用參數(shù)

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90

PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

zui佳波長(zhǎng)λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥5×109

≥5×108

時(shí)間常數(shù)T,ns

≥1.3

≥1.3

電阻R,Ω

≤20

≤60

元件工作溫度Tdet,K

≥2K

≥70

感光面尺寸A,mm×mm

0.1×0.1

封裝

TO39

接收角Φ

~90°

窗口


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PVA1.jpeg



TO39型封裝外形尺寸圖


PVIA1.pngPVIA2.png




其它型號(hào)
  名稱 型號(hào)貨號(hào)         價(jià)格
InAs 光伏探測(cè)器 紅外非冷卻非浸沒 2.15-3.5um E80040158
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